四種比較實用的MOSFET關斷電路

MOSFET的關斷速度取決於柵極驅動電路，提高開關速度可能會降低開關損耗，今天來分享四個比較實用的關斷電路。

簡單的關斷電路

最簡單的技術就是反向並聯二極體。在這裏，RGATE電阻器調整MOSFET開通速度，在關斷過程中，反向並聯二極體對電阻器進行分流。

隨著柵源極電壓接近0V，二極體的作用變小，但這個電路有個缺點，柵極關斷電流會流經驅動器的輸出阻抗。

PNP關斷電路

這是比較常見的電路，由於Qoff的存在，在關斷期間柵極和源極在MOSFET端形成局部短路。RGATE電阻器限制了開通速度，二極體為開通電流提供了路徑，並且保護了三極管，防止在開通開始時出現反向擊穿。

這個電路的優勢在於，MOSFET輸入電容的高峰值放電電流被兩個電晶體限制了，讓關斷電流不會返回驅動器，避免了誤開通現象。同時也讓驅動器的功率損耗減少了兩倍。

NPN關斷電路

和上一個電路相似，它可以將柵極放電電流有效地控制在局部。

但不同的是，NPN電晶體能讓柵極更接近於GND，還能實現可提供偏置機制，讓MOSFET在上電期間保持關斷狀態。

不過這裏有個缺點，因為QOFF 是反相級，需要QINV提供的反向PWM信號。而反相器在MOSFET導通時會消耗驅動器中的電流，降低電路效率。

NMOS關斷電路

這個電路相比前面的，器件比較少，它是使用了雙驅動器為小型的Nmos提供了反相PWM信號，能夠提供很快的開關速度，將MOSFET柵極完全放電到0V。

這裏的電阻器不僅可以設置開關速度，還可以在驅動信號時序有缺陷的時候，防止在驅動器兩個輸出之間形成擊穿電流。