米勒平臺的時間要多長才合適呢？

通常我們希望米勒平臺的時間短，但往往很容易出現震盪，發熱更嚴重的情況。

對高壓管子來說，米勒平臺時間短，開通時dv/dt就會大。

對低壓管子來說GS電容大，但是柵極電阻會比較小，米勒平臺時間也不能太長。

那高壓管子和低壓管子的平臺時間要多長呢？

高壓管子

高壓管子開通時dv/dt大，開關波形的沿就會越陡，如果沿越陡，諧波分量就越多；如果沿越緩，諧波分量就越少，EMC更加容易通過。

在高頻載波的話，如果米勒平臺時間在300ns~1us，那麼1us可能發熱會大一些，不過具體還是要看封裝還有ID電流的大小，如果MOSFET只是用在電源上電和斷電，在低頻的情況下平臺時間長一點也沒關係。

低壓管子

低壓管子的話就可以更小一點，大概90ns~300ns，但具體的時間要具體情況去評估。

關於高壓管子和低壓管子，需要看Vgs波形是否震盪為准。