如何防止MOS管的自導通現象

如何防止MOS管的自導通現象？

通常我們會見到以下三種方法：

1. 柵源之間增加一個電容

2. 增加米勒鉗位電路

3. 利用負電壓提供柵極驅動電壓

我們用一個電路來模擬一種自導通的現象。

在反向恢復中，Q2在電感負載電流回流到Q1的二極體導通時，電感的電流會流過Q2。讓二極體關斷。

那麼在關斷的狀態下，對MOS管施加高dv/dt電壓時會發生什麼呢？

我們將R4的電阻阻值調整一下，就會看到變化了。

接下來，將MOS管（Q1）柵源之間增加一個電容，吸收柵極電流，這是為了降低因為柵極電阻產生的柵極電壓，降低自導通電壓。

這是增加電容後的波形，柵源電容的增加也改變了MOS管的開關時間，這時就需要電容和柵極電阻一起調整變化。

那麼柵極驅動電路的R1 有什麼作用呢？

這是個下拉電阻，很顯然，它的作用一個是給電路提供泄放回路，讓MOS管只處於開關兩個狀態，另一個就是它可以一定程度上防止雷擊和靜電。

回到開頭，解決自導通的三個辦法：

1. 柵源之間增加一個電容

用柵源之間的電容吸收dv/dt引起的漏柵電流，電容與MOS管內部的Cgs並聯，柵極電荷會增加。

如果柵極電壓是固定的，那可以通過改變柵極電阻的阻值來保持MOS管的開關不變。不過這會導致驅動功率的增加。

2. 增加米勒鉗位電路

可以在柵源之間增加另外一個MOS管來實現，當電壓低於預設的米勒電壓，比較器就會提供邏輯高電平，讓柵源之間的MOS管導通，柵源之間短路，通過米勒電容和柵極電阻的電流讓柵極電壓提升。

3. 利用負電壓提供柵極驅動電壓，讓它不要超過Vth，一般需要用到負電源。