BMS系統是如何燒毀放電MOS的？

BMS系统是如何烧毁放电MOS的？

MOS管燒毀，會想到耐流能力，或者並聯問題，但是儘管更換了更大的MOS管，還是會出現燒毀的情況。今天這期我們就來具體聊一下關於BMS中MOS管的過流損壞。

當 電流的輸出電流超過我們預設電流保護閾值，累計時間超過我們的過流保護閾值延時時間以後，AFE會主動產生信號，保護MOS管關閉，防止外部短路損壞負載，有效地防止過大電流損壞電池。

當進行過流保護時，MOS管沒有被燒毀，當電流值超過預設的電流保護閾值後，BMS還在正常倒計時，在延遲一刻MOS管冒煙了。

也就是說，它在MOS管關斷的時候燒起來了。

這就和MOS管關斷的四個階段就有關系了。

我們知道，MOS管關斷有四個階段。

t0 ~ t1 階段：Vgs 電壓下降，但還沒有到達 Vth，也就是 MOS 管的開啟電壓所以無法關閉，因此，這個階段的 Vds 接近於 0，雖然電流 Id 很大，功率幾乎為 0。

t1 ~ t2 階段：Vgs 已經讓 MOS 管工作在放大區了，有一點點的導通但是內阻非常大。此時，Vds 電壓開始上升，但是由於 MOS 的寄生電容 Cgd 的存在， Vds 將通過寄生電容 Cgd 給柵極 G 供電，因此這一階段會出現一個平衡，Vgs 保持一個穩態，這就是是彌勒平臺。

這個階段，Vds 在上升，MOS 管漏電流 Id 保持不變，功耗為 Vds * Id，隨著 Vds 的升高而逐漸增大。

t2 ~ t3 階段：Vds 已經上升到了 Vin 而趨於穩定，不再有大的 dv/dt，那麼 Vdrive 拉取的電流將由 MOS 的另一個寄生電容來提供，也就是圖中的 Cgs，此時 Vgs 開始逐漸下降，MOS 管的內阻開始逐漸變大，Id 電流也逐漸減小。直到 Vgs 降低於 Vth，MOS 管徹底關閉，Id 降低為 0。

這個階段中，Vds 保持不變，Id 逐漸減小，功耗為 Vds * Id，隨著 Id 的減小，熱功耗也逐漸減小為 0。

t3 ~ t4 階段：這一階段實際上是 MOS 關斷的收尾工作，也就是將 Cgs 中的電荷全部釋放，Vgs 隨之降低為 0。但此階段的 Vds 雖然很大，Id 卻已經被完全關斷為 0，因此也沒有熱功耗。

可以看出，關斷瞬間的 t2 時刻是最大的峰值功率，然而整個熱量積攢的時間段就是 t1 到 t3 時刻，當我們在選擇MOS管的時候，經常會忽略掉MOS管的峰值功率，這也就導致了在測試過流保護的時候，MOS管經常冒煙。

所以，當我們想要降低MOS管損壞的概率時，可以選擇電流裕量比較高的MOS管，或者加快MOS管的關斷速度。

不過，有時候以上的情況也會出現關斷燒毀的現象，有人知道為什麼嗎？歡迎大家評論區留言，我們下期繼續。