VBsemi第三代SiC MOSFET發佈：21mΩ超低阻抗重新定義快充效率

作為專注於高性能MOSFET設計的領先企業，VBsemi（微碧半導體）針對電動汽車直流快充、儲能系統（ESS）及雙向充電（V2G）等關鍵領域，推出多款基於第三代SiC技術的MOSFET產品。這些器件憑藉超低導通電阻、高開關效率及卓越的散熱性能，可完美替代傳統矽基方案，助力客戶構建更緊湊、更高效的功率系統。
 

 產品核心優勢  

1. 極致效率  

   採用先進SiC工藝，開關損耗降低50%以上，系統效率突破96%。  

   與IGBT方案相比，顯著減少熱能損耗，簡化冷卻設計。  

2. 高功率密度  

   小封裝（如T0247、T02474L）支持高電流輸出，節省PCB空間。  

   例如：VBP112MC100在100A電流下導通電阻僅21mΩ，適合大功率密集部署。  

3. 可靠性保障  

   全系列器件通過嚴格的動態參數測試，確保高溫、高濕等嚴苛環境下的穩定性。  

 重點型號推薦  

基於附件參數表，以下VBsemi MOSFET為快充與儲能優化設計：  

設計支持與行業價值  

快速選型：提供可靠方案，縮短開發週期。  

電網友好：支持V2G技術，緩解充電高峰對電網的衝擊。  

市場趨勢：據預測，2030年全球SiC功率器件市場規模將超100億美元，VBsemi以高性價比方案搶佔先機。  

選擇VBsemi MOSFET，以單管性能重構系統能效邊界！  

（注：所有參數均基於官方數據，具體設計需參考規格書及應用指南。）






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