VBQG1317 Product details
Product introduction:
VBQG1317 是一款基於 Trench 技術的場效應電晶體(MOSFET)。該產品具有以下主要特點:額定漏源電壓為 30V,門源電壓可承受 ±20V,典型閾值電壓為 1.5V,具備低導通電阻(RDS(on))特性,在 VGS = 4.5V 下為 21 mΩ,VGS = 10V 下為 17 mΩ。最大漏電流(ID)為 10A。由於其低導通電阻、低功耗和高效能,適用於各種高效電源管理和功率控制的應用場合。
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Product parameter:
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp(V) | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DFN6(2X2) | Single-N | 30V | 20V(±V) | 1.5V | 10A | 21(mΩ) | 17(mΩ) | Trench |
型號: VBQG1317
封裝類型: DFN6(2X2),適合表面貼裝。
配置: 單通道配置(Single),方便在多種電路中使用。
極性: N型(N-channel),適用於高效的功率開關。
漏源電壓 (VDS): 30V,適合低電壓高頻應用。
門源電壓 (VGS): ±20V,具備較強的電壓耐受能力。
典型閾值電壓 (Vth): 1.5V,這意味著電晶體在施加門源電壓時容易開啟,確保較低的開關損耗。
導通電阻 (RDS(on)):
在 VGS = 4.5V 時典型值為 21 mΩ
在 VGS = 10V 時典型值為 17 mΩ 低導通電阻有助於減少功率損耗和提高效率。
漏電流 (ID): 10A,能夠處理較大的電流,適合功率較高的應用。
技術: Trench 技術,可提高器件的效率,減少開關損耗和導通損失。
Domain and module applications:
電源管理系統: VBQG1317 適用於高效的電源轉換模組,如 DC-DC 轉換器和電池管理系統。其低導通電阻特性有助於提高功率轉換效率,延長電池壽命,且能在高電流負載下穩定運行。
電動工具和電動車驅動: 在電動工具、電動自行車或電動汽車等領域,VBQG1317 可用作電機驅動電路的開關元件。其較高的電流承受能力(10A)使其能夠驅動大功率電機,且高效能可減少熱量積聚。
可攜式設備和消費類電子: 在可攜式設備中,VBQG1317 可用於電池管理和功率控制。它能確保低功耗運行和快速回應,適合用於智能手機、平板電腦等電子產品的功率控制部分。
高頻通信設備: 該產品適用於需要高效率和低功耗的通信模組,如無線電發射器和接收器。由於其低導通電阻,VBQG1317 能夠在高頻工作環境中提供穩定的電流控制和低噪音輸出。
Technical support:
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