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VBGL71505 Product details
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**VBGL71505 產品簡介**
VBGL71505 是一款採用 TO263-7L 封裝的 N 型功率 MOSFET，具有 150V 的漏極源極電壓（V_DS）和高達 160A 的最大漏極電流（I_D）。該器件的最大柵源電壓為 ±20V，典型門檻電壓（V_th）為 3V，典型導通電阻 R_DS(on) 為 5mΩ（在 V_GS=10V 時）。基於 SGT（Silicon Gate Technology）工藝，這款 MOSFET 提供了低導通電阻、優良的開關特性和高電流處理能力，廣泛應用於高效功率轉換、電源管理以及汽車電子等領域。
VBGL71505 是一款採用 TO263-7L 封裝的 N 型功率 MOSFET，具有 150V 的漏極源極電壓（V_DS）和高達 160A 的最大漏極電流（I_D）。該器件的最大柵源電壓為 ±20V，典型門檻電壓（V_th）為 3V，典型導通電阻 R_DS(on) 為 5mΩ（在 V_GS=10V 時）。基於 SGT（Silicon Gate Technology）工藝，這款 MOSFET 提供了低導通電阻、優良的開關特性和高電流處理能力，廣泛應用於高效功率轉換、電源管理以及汽車電子等領域。
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Product parameter：
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO263-7L | Single-N | 150V | 20V（±V） | 3V | 160A | 5(mΩ) | SGT |
**VBGL71505 產品詳細參數說明**
- **封裝類型**：TO263-7L
- **配置**：單極性（N 型）
- **最大漏極源極電壓（V_DS）**：150V
- **最大柵源電壓（V_GS）**：±20V
- **典型門檻電壓（V_th）**：3V
- **導通電阻（R_DS(on)）**：5mΩ（在 V_GS=10V 時）
- **最大漏極電流（I_D）**：160A
- **技術類型**：SGT（Silicon Gate Technology）
- **典型應用**：DC-DC 轉換器、汽車電源、電動工具、電源管理模組等
Domain and module applications：
**應用領域及模組示例**
1. **電源管理**：
VBGL71505 可用於高效的電源轉換系統中，例如在高頻 DC-DC 轉換器中，能夠承受較大的電流和電壓，降低系統的熱損耗並提高轉換效率。其低導通電阻使得它在高負載條件下具有較低的功率損耗。
2. **汽車電子**：
在汽車電子系統中，VBGL71505 可用於電動汽車驅動系統的功率轉換模組。由於其出色的電流承載能力和可靠性，它適合用作電池管理系統（BMS）中的開關元件，確保電池的充電和放電過程高效穩定。
3. **工業電源**：
該 MOSFET 也可用於工業級電源中，尤其是在需要大電流、高效率和高可靠性的場合。比如，它可以作為電機驅動模組中的開關元件，實現高效的電機驅動控制。
4. **電動工具**：
在電動工具中，VBGL71505 作為功率開關器件，可幫助實現高效的功率控制，延長工具的使用壽命，並提供更快的回應速度和更強的負載能力。
5. **可攜式電子設備**：
由於其低導通電阻和高電流處理能力，VBGL71505 還適用於需要穩定電源的可攜式電子設備中，特別是那些要求高功率密度和小體積的應用場合。
這些應用表明，VBGL71505 具有廣泛的應用潛力，能夠滿足現代高效能、高功率密度和高可靠性電子系統的需求。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features
Technical support：
* If you have any questions about the product, please fill out the form to submit, we will reply you within 24 hours
