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VBL2104N Product details
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VBL2104N MOSFET 產品簡介
VBL2104N 是一款高性能的 P 溝道 MOSFET，採用 TO-263 封裝，專為中高壓和高電流應用設計。它具有 -100V 的漏源電壓（V_DS）和 ±20V 的柵源電壓（V_GS）。該 MOSFET 的閾值電壓（V_th）為 -1.85V，開態電阻（R_DS(ON)）為 45 mΩ（在 V_GS 為 4.5V 時）和 38 mΩ（在 V_GS 為 10V 時），能夠承受高達 -43A 的連續漏電流（I_D）。VBL2104N 採用溝槽（Trench）技術，以提供良好的開關性能和高電流處理能力，適用於各種中高壓和高電流的應用場景。
VBL2104N 是一款高性能的 P 溝道 MOSFET，採用 TO-263 封裝，專為中高壓和高電流應用設計。它具有 -100V 的漏源電壓（V_DS）和 ±20V 的柵源電壓（V_GS）。該 MOSFET 的閾值電壓（V_th）為 -1.85V，開態電阻（R_DS(ON)）為 45 mΩ（在 V_GS 為 4.5V 時）和 38 mΩ（在 V_GS 為 10V 時），能夠承受高達 -43A 的連續漏電流（I_D）。VBL2104N 採用溝槽（Trench）技術，以提供良好的開關性能和高電流處理能力，適用於各種中高壓和高電流的應用場景。
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Product parameter：
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO263 | Single-P | -100V | 20V（±V） | -1.85V | -43A | 45(mΩ) | 38(mΩ) | Trench |
詳細參數說明
1. **封裝**：TO-263
- 這種封裝具有良好的散熱性能和適中的占板面積，適合高功率和高密度電路設計。
2. **配置**：單個 P 溝道
- 用於高側開關控制，提供靈活的電路設計選項。
3. **V_DS（漏源電壓）**：-100V
- 適用於中高壓應用，能夠處理較高的負電壓。
4. **V_GS（柵源電壓）**：±20V
- 提供靈活的柵極驅動電壓，適應不同的控制電壓需求。
5. **V_th（閾值電壓）**：-1.85V
- 在此電壓下，MOSFET 開始導通，確保在低電壓下的穩定操作。
6. **R_DS(ON)（開態電阻）**：45 mΩ @ V_GS = 4.5V，38 mΩ @ V_GS = 10V
- 低開態電阻減少了功耗，提升了開關效率。
7. **I_D（連續漏電流）**：-43A
- 高電流處理能力，適用於需要大電流的應用場合。
8. **技術**：溝槽型（Trench）
- 提供了優良的開關性能和低導通電阻，適合各種高電流應用。
1. **封裝**：TO-263
- 這種封裝具有良好的散熱性能和適中的占板面積，適合高功率和高密度電路設計。
2. **配置**：單個 P 溝道
- 用於高側開關控制，提供靈活的電路設計選項。
3. **V_DS（漏源電壓）**：-100V
- 適用於中高壓應用，能夠處理較高的負電壓。
4. **V_GS（柵源電壓）**：±20V
- 提供靈活的柵極驅動電壓，適應不同的控制電壓需求。
5. **V_th（閾值電壓）**：-1.85V
- 在此電壓下，MOSFET 開始導通，確保在低電壓下的穩定操作。
6. **R_DS(ON)（開態電阻）**：45 mΩ @ V_GS = 4.5V，38 mΩ @ V_GS = 10V
- 低開態電阻減少了功耗，提升了開關效率。
7. **I_D（連續漏電流）**：-43A
- 高電流處理能力，適用於需要大電流的應用場合。
8. **技術**：溝槽型（Trench）
- 提供了優良的開關性能和低導通電阻，適合各種高電流應用。
Domain and module applications：
應用實例
**1. 電源管理：**
- **領域**：開關電源（SMPS）
- **實例**：在開關電源中，VBL2104N 可以用作高側開關控制器，適合處理高電流和高電壓的應用。其低開態電阻和高電流承載能力使其在電源管理中表現出色，提升了電源的效率和穩定性。
**2. 電動汽車：**
- **領域**：電池管理系統
- **實例**：在電動汽車的電池管理系統中，VBL2104N 可以用於高側開關控制，以保護電池免受過流和過電壓的影響。其高電流處理能力和高電壓耐受能力確保了電池系統的安全和穩定運行。
**3. 高功率LED驅動：**
- **領域**：照明系統
- **實例**：在高功率 LED 驅動器中，VBL2104N 能夠高效控制 LED 模組的電流。其低開態電阻和高電流承載能力幫助降低功耗，並確保 LED 的穩定亮度和長壽命。
**4. 電機驅動：**
- **領域**：工業自動化
- **實例**：應用於電機驅動電路中，VBL2104N 能夠提供穩定的高側開關控制，適合高電流電機負載的控制。其高電流處理能力和低開態電阻提高了電機控制的可靠性和效率。
**5. 電源保護：**
- **領域**：通信設備
- **實例**：在通信設備的電源保護電路中，VBL2104N 可用於保護電源免受過電流和短路的影響。其高電流處理能力和低開態電阻確保了設備的穩定運行和保護功能。
總之，VBL2104N MOSFET 是一款高電流、高電壓處理能力的 P 溝道開關器件，廣泛適用於各種中高壓和高電流的電子應用，提供可靠的性能和高效的開關控制。
**1. 電源管理：**
- **領域**：開關電源（SMPS）
- **實例**：在開關電源中，VBL2104N 可以用作高側開關控制器，適合處理高電流和高電壓的應用。其低開態電阻和高電流承載能力使其在電源管理中表現出色，提升了電源的效率和穩定性。
**2. 電動汽車：**
- **領域**：電池管理系統
- **實例**：在電動汽車的電池管理系統中，VBL2104N 可以用於高側開關控制，以保護電池免受過流和過電壓的影響。其高電流處理能力和高電壓耐受能力確保了電池系統的安全和穩定運行。
**3. 高功率LED驅動：**
- **領域**：照明系統
- **實例**：在高功率 LED 驅動器中，VBL2104N 能夠高效控制 LED 模組的電流。其低開態電阻和高電流承載能力幫助降低功耗，並確保 LED 的穩定亮度和長壽命。
**4. 電機驅動：**
- **領域**：工業自動化
- **實例**：應用於電機驅動電路中，VBL2104N 能夠提供穩定的高側開關控制，適合高電流電機負載的控制。其高電流處理能力和低開態電阻提高了電機控制的可靠性和效率。
**5. 電源保護：**
- **領域**：通信設備
- **實例**：在通信設備的電源保護電路中，VBL2104N 可用於保護電源免受過電流和短路的影響。其高電流處理能力和低開態電阻確保了設備的穩定運行和保護功能。
總之，VBL2104N MOSFET 是一款高電流、高電壓處理能力的 P 溝道開關器件，廣泛適用於各種中高壓和高電流的電子應用，提供可靠的性能和高效的開關控制。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features
Technical support：
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