中文
English
VBFB1206N Product details
Back to previous pageProduct introduction：
VBFB1206N MOSFET 產品簡介
VBFB1206N 是一款高性能 N 通道功率 MOSFET，封裝在 TO251 封裝中，適用於需要處理較高電壓和電流的應用。該 MOSFET 的 VDS（漏源電壓）為 200V，VGS（柵源電壓）範圍為 ±20V，能夠在較高電壓條件下穩定工作。其閾值電壓（Vth）為 3.42V，確保在柵電壓達到一定值時能夠可靠地導通。VBFB1206N 的 RDS(ON) 為 51mΩ @ VGS=10V，支持最大連續漏電流（ID）為 30A。該器件採用了 Trench 技術，提供優良的開關性能和低導通電阻。
VBFB1206N 是一款高性能 N 通道功率 MOSFET，封裝在 TO251 封裝中，適用於需要處理較高電壓和電流的應用。該 MOSFET 的 VDS（漏源電壓）為 200V，VGS（柵源電壓）範圍為 ±20V，能夠在較高電壓條件下穩定工作。其閾值電壓（Vth）為 3.42V，確保在柵電壓達到一定值時能夠可靠地導通。VBFB1206N 的 RDS(ON) 為 51mΩ @ VGS=10V，支持最大連續漏電流（ID）為 30A。該器件採用了 Trench 技術，提供優良的開關性能和低導通電阻。
File download
Download PDF document
Download now
Product parameter：
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO251 | Single-N | 200V | 20V（±V） | 3.42V | 30A | 51(mΩ) | Trench |
詳細參數說明
1. **封裝:** TO251
2. **配置:** 單N通道
3. **VDS（漏源電壓）:** 200V
4. **VGS（柵源電壓）:** ±20V
5. **Vth（閾值電壓）:** 3.42V
6. **RDS(ON)（導通電阻）:** 51mΩ @ VGS=10V
7. **ID（連續漏電流）:** 30A
8. **技術:** Trench
1. **封裝:** TO251
2. **配置:** 單N通道
3. **VDS（漏源電壓）:** 200V
4. **VGS（柵源電壓）:** ±20V
5. **Vth（閾值電壓）:** 3.42V
6. **RDS(ON)（導通電阻）:** 51mΩ @ VGS=10V
7. **ID（連續漏電流）:** 30A
8. **技術:** Trench
Domain and module applications：
應用領域和使用場景
VBFB1206N MOSFET 由於其高壓承受能力和低導通電阻，適合用於多個領域和模組：
1. **高壓電源開關:** 適用於高壓開關模式電源（SMPS），在電源轉換過程中提供高效的開關性能和低功耗，適合用於電源適配器和服務器電源。
2. **電力逆變器:** 適用於將直流電轉換為交流電的逆變器，特別是用於太陽能發電系統和工業電力轉換系統，提供穩定的電力轉換。
3. **電機驅動:** 在電機控制系統中，VBFB1206N 可用於高電壓電機驅動和控制應用，支持電機的啟動、運行和調速功能。
4. **LED驅動:** 適用於高功率 LED 驅動電路，能夠在高電壓條件下提供穩定的電流控制，保證 LED 的亮度和壽命。
5. **功率保護電路:** 在各種功率保護電路中使用，如過壓、過流保護電路，提供可靠的保護功能，防止設備損壞。
6. **電池管理系統:** 在電池管理系統中，VBFB1206N 可用於電池的保護和監測，確保電池在安全範圍內運行，防止過充和過放。
這些示例展示了 VBFB1206N MOSFET 的多用途和在高壓、高電流應用中的可靠性。
VBFB1206N MOSFET 由於其高壓承受能力和低導通電阻，適合用於多個領域和模組：
1. **高壓電源開關:** 適用於高壓開關模式電源（SMPS），在電源轉換過程中提供高效的開關性能和低功耗，適合用於電源適配器和服務器電源。
2. **電力逆變器:** 適用於將直流電轉換為交流電的逆變器，特別是用於太陽能發電系統和工業電力轉換系統，提供穩定的電力轉換。
3. **電機驅動:** 在電機控制系統中，VBFB1206N 可用於高電壓電機驅動和控制應用，支持電機的啟動、運行和調速功能。
4. **LED驅動:** 適用於高功率 LED 驅動電路，能夠在高電壓條件下提供穩定的電流控制，保證 LED 的亮度和壽命。
5. **功率保護電路:** 在各種功率保護電路中使用，如過壓、過流保護電路，提供可靠的保護功能，防止設備損壞。
6. **電池管理系統:** 在電池管理系統中，VBFB1206N 可用於電池的保護和監測，確保電池在安全範圍內運行，防止過充和過放。
這些示例展示了 VBFB1206N MOSFET 的多用途和在高壓、高電流應用中的可靠性。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features
Technical support：
* If you have any questions about the product, please fill out the form to submit, we will reply you within 24 hours
