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VBF2317 Product details
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產品概述：VBF2317
VBF2317 是一款高性能的單極P溝MOSFET，採用TO251封裝。該MOSFET 專為高電流和低導通電阻應用設計，具備-30V的漏源電壓（V_DS）和±20V的柵源電壓（V_GS）。其閾值電壓（V_th）為-1.8V，具有24mΩ的低導通電阻（R_DS(on)）@ V_GS = 4.5V和18mΩ的更低導通電阻（R_DS(on)）@ V_GS = 10V，最大連續漏極電流（I_D）為-40A。採用Trench技術，VBF2317 提供了優異的開關性能和低導通損耗，適合高效能電源和電流控制應用。
VBF2317 是一款高性能的單極P溝MOSFET，採用TO251封裝。該MOSFET 專為高電流和低導通電阻應用設計，具備-30V的漏源電壓（V_DS）和±20V的柵源電壓（V_GS）。其閾值電壓（V_th）為-1.8V，具有24mΩ的低導通電阻（R_DS(on)）@ V_GS = 4.5V和18mΩ的更低導通電阻（R_DS(on)）@ V_GS = 10V，最大連續漏極電流（I_D）為-40A。採用Trench技術，VBF2317 提供了優異的開關性能和低導通損耗，適合高效能電源和電流控制應用。
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Product parameter：
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO251 | Single-P | -30V | 20V（±V） | -1.8V | -40A | 24(mΩ) | 18(mΩ) | Trench |
詳細參數說明
- **漏源電壓 (V_DS):** -30V
- 漏極和源極之間可以承受的最大負電壓。
- **柵源電壓 (V_GS):** ±20V
- 柵極和源極之間可以施加的最大電壓。
- **閾值電壓 (V_th):** -1.8V
- 開啟MOSFET所需的最小柵源電壓。
- **導通電阻 (R_DS(on)):** 24mΩ @ V_GS = 4.5V
- 當MOSFET處於“開啟”狀態時，漏極和源極之間的電阻，測量柵源電壓為4.5V時的值。
- **導通電阻 (R_DS(on)):** 18mΩ @ V_GS = 10V
- 當MOSFET處於“開啟”狀態時，漏極和源極之間的電阻，測量柵源電壓為10V時的值。
- **連續漏極電流 (I_D):** -40A
- 當設備得到適當散熱時，漏極端可以流過的最大連續負電流。
- **封裝類型:** TO251
- MOSFET的物理封裝，提供良好的散熱性能和結構穩定性。
- **配置:** 單極P溝
- 表示該MOSFET具有單個P溝道用於導電。
- **Trench技術:**
- 表示MOSFET採用Trench技術製造，提供優異的開關性能和低導通損耗。
- **漏源電壓 (V_DS):** -30V
- 漏極和源極之間可以承受的最大負電壓。
- **柵源電壓 (V_GS):** ±20V
- 柵極和源極之間可以施加的最大電壓。
- **閾值電壓 (V_th):** -1.8V
- 開啟MOSFET所需的最小柵源電壓。
- **導通電阻 (R_DS(on)):** 24mΩ @ V_GS = 4.5V
- 當MOSFET處於“開啟”狀態時，漏極和源極之間的電阻，測量柵源電壓為4.5V時的值。
- **導通電阻 (R_DS(on)):** 18mΩ @ V_GS = 10V
- 當MOSFET處於“開啟”狀態時，漏極和源極之間的電阻，測量柵源電壓為10V時的值。
- **連續漏極電流 (I_D):** -40A
- 當設備得到適當散熱時，漏極端可以流過的最大連續負電流。
- **封裝類型:** TO251
- MOSFET的物理封裝，提供良好的散熱性能和結構穩定性。
- **配置:** 單極P溝
- 表示該MOSFET具有單個P溝道用於導電。
- **Trench技術:**
- 表示MOSFET採用Trench技術製造，提供優異的開關性能和低導通損耗。
Domain and module applications：
應用示例
**1. 電源管理系統:**
- VBF2317 MOSFET 可以用於電源管理系統中的高電流開關，特別是需要處理負電壓的應用。其低導通電阻確保了高效能和低功率損耗，使其適合在電源分配和保護電路中使用。
**2. 電動機驅動:**
- 在電動機驅動應用中，VBF2317 可用於控制電動機的負電流路徑，適合用於電動工具和電動汽車等高功率驅動系統。其高電流處理能力和低導通電阻使其在這些應用中表現優異。
**3. 逆變器:**
- 在逆變器應用中，尤其是用於太陽能和風能逆變器中，VBF2317 可以作為開關元件，處理負電壓並確保高效的能量轉換和電力調節。
**4. 負載開關:**
- 該MOSFET 適用於負載開關應用，如在負載保護電路中用於控制高電流負載的開關。其低R_DS(on) 確保了在高負載情況下的高效性能和可靠性。
**5. 電池管理系統:**
- 在電池管理系統中，VBF2317 可用於控制電池的充電和放電路徑，特別是在處理負電壓的場合。其高電流和低導通電阻特性確保了電池管理系統的穩定性和高效性。
通過將VBF2317 MOSFET 應用於這些領域，設計師可以實現高效、可靠的性能，滿足高電流和負電壓處理的要求。
**1. 電源管理系統:**
- VBF2317 MOSFET 可以用於電源管理系統中的高電流開關，特別是需要處理負電壓的應用。其低導通電阻確保了高效能和低功率損耗，使其適合在電源分配和保護電路中使用。
**2. 電動機驅動:**
- 在電動機驅動應用中，VBF2317 可用於控制電動機的負電流路徑，適合用於電動工具和電動汽車等高功率驅動系統。其高電流處理能力和低導通電阻使其在這些應用中表現優異。
**3. 逆變器:**
- 在逆變器應用中，尤其是用於太陽能和風能逆變器中，VBF2317 可以作為開關元件，處理負電壓並確保高效的能量轉換和電力調節。
**4. 負載開關:**
- 該MOSFET 適用於負載開關應用，如在負載保護電路中用於控制高電流負載的開關。其低R_DS(on) 確保了在高負載情況下的高效性能和可靠性。
**5. 電池管理系統:**
- 在電池管理系統中，VBF2317 可用於控制電池的充電和放電路徑，特別是在處理負電壓的場合。其高電流和低導通電阻特性確保了電池管理系統的穩定性和高效性。
通過將VBF2317 MOSFET 應用於這些領域，設計師可以實現高效、可靠的性能，滿足高電流和負電壓處理的要求。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features
Technical support：
* If you have any questions about the product, please fill out the form to submit, we will reply you within 24 hours
