VBE2103M Product details
Product introduction:
VBE2103M 是一款單個 P 通道 MOSFET,封裝類型為 TO252。該 MOSFET 採用了 Trench 技術,具有最大漏極-源極電壓(VDS)為 -100V 和最大柵極-源極電壓(VGS)為 ±20V。其閾值電壓(Vth)為 -1.63V。VBE2103M 在柵源電壓為 10V 時的導通電阻(RDS(ON))為 220mΩ,能夠承載最高 10A 的連續漏極電流(ID)。
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Product parameter:
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp(V) | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO252 | Single-P | -100V | 20V(±V) | -1.63V | 10A | 220(mΩ) | Trench |
- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單 P 通道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**: -100V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -1.63V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 220mΩ @ VGS = 10V
- **連續漏極電流 (ID)**: 10A
- **技術**: Trench
Domain and module applications:
1. **電源開關**:
- VBE2103M 由於其適中的導通電阻和較高的電流承載能力,非常適合用作電源開關。它可以在電源管理電路中控制電流的流動,尤其是在負載較大的場合,如電源適配器或電池管理系統中。
2. **負載開關**:
- 在負載開關應用中,VBE2103M 可以用作負載控制開關,特別是在需要反向電壓處理的應用中。其高電流能力和穩定性使其能夠有效管理各種負載,如LED驅動器或電機控制電路。
3. **汽車電子**:
- 在汽車電子系統中,VBE2103M 可用於各種開關控制應用,如車燈控制、車窗升降器等。它能夠在高電壓環境下穩定工作,並且可以承載足夠的電流,確保汽車系統的可靠性和穩定性。
4. **功率管理系統**:
- 在功率管理系統中,特別是在高電流開關和電源轉換器中,VBE2103M 的低導通電阻和高電流能力能夠顯著提高系統的效率和穩定性。這使其非常適合用於高電壓電源轉換器和功率分配應用。
5. **通信設備**:
- 在通信設備中,VBE2103M 可以作為開關組件來控制電路中的電流流動,尤其是在高電壓通信模組中。其高電流承載能力確保了通信設備的可靠性和信號完整性。
Technical support:
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