MOSFET

VBE2103M Product details

Product introduction:

VBE2103M MOSFET 產品簡介

VBE2103M 是一款單個 P 通道 MOSFET,封裝類型為 TO252。該 MOSFET 採用了 Trench 技術,具有最大漏極-源極電壓(VDS)為 -100V 和最大柵極-源極電壓(VGS)為 ±20V。其閾值電壓(Vth)為 -1.63V。VBE2103M 在柵源電壓為 10V 時的導通電阻(RDS(ON))為 220mΩ,能夠承載最高 10A 的連續漏極電流(ID)。

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Product parameter:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO252 Single-P -100V 20V(±V) -1.63V 10A 220(mΩ) Trench
詳細參數說明

- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單 P 通道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**: -100V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -1.63V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 220mΩ @ VGS = 10V
- **連續漏極電流 (ID)**: 10A
- **技術**: Trench

Domain and module applications:

應用領域示例

1. **電源開關**:
- VBE2103M 由於其適中的導通電阻和較高的電流承載能力,非常適合用作電源開關。它可以在電源管理電路中控制電流的流動,尤其是在負載較大的場合,如電源適配器或電池管理系統中。

2. **負載開關**:
- 在負載開關應用中,VBE2103M 可以用作負載控制開關,特別是在需要反向電壓處理的應用中。其高電流能力和穩定性使其能夠有效管理各種負載,如LED驅動器或電機控制電路。

3. **汽車電子**:
- 在汽車電子系統中,VBE2103M 可用於各種開關控制應用,如車燈控制、車窗升降器等。它能夠在高電壓環境下穩定工作,並且可以承載足夠的電流,確保汽車系統的可靠性和穩定性。

4. **功率管理系統**:
- 在功率管理系統中,特別是在高電流開關和電源轉換器中,VBE2103M 的低導通電阻和高電流能力能夠顯著提高系統的效率和穩定性。這使其非常適合用於高電壓電源轉換器和功率分配應用。

5. **通信設備**:
- 在通信設備中,VBE2103M 可以作為開關組件來控制電路中的電流流動,尤其是在高電壓通信模組中。其高電流承載能力確保了通信設備的可靠性和信號完整性。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

Technical support:

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