中文
English
VBE1151M Product details
Back to previous pageProduct introduction：
VBE1151M MOSFET 產品簡介
VBE1151M 是一款高性能 N 溝道 MOSFET，專為中高壓和中電流應用設計。它採用 TO-252 封裝，具有 150V 的漏源電壓（V_DS）和 ±20V 的柵源電壓（V_GS）。該 MOSFET 的閾值電壓（V_th）為 1.89V，開態電阻（R_DS(ON)）為 100 mΩ（在 V_GS 為 10V 時），能夠承受高達 15A 的連續漏電流（I_D）。VBE1151M 採用溝槽（Trench）技術，以提供良好的開關性能和穩定的電流處理能力，適用於各種要求中高壓和中等電流的應用場景。
VBE1151M 是一款高性能 N 溝道 MOSFET，專為中高壓和中電流應用設計。它採用 TO-252 封裝，具有 150V 的漏源電壓（V_DS）和 ±20V 的柵源電壓（V_GS）。該 MOSFET 的閾值電壓（V_th）為 1.89V，開態電阻（R_DS(ON)）為 100 mΩ（在 V_GS 為 10V 時），能夠承受高達 15A 的連續漏電流（I_D）。VBE1151M 採用溝槽（Trench）技術，以提供良好的開關性能和穩定的電流處理能力，適用於各種要求中高壓和中等電流的應用場景。
File download
Download PDF document
Download now
Product parameter：
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO252 | Single-N | 150V | 20V（±V） | 1.89V | 15A | 100(mΩ) | Trench |
詳細參數說明
1. **封裝**：TO-252
- 提供了良好的散熱性能和適中的占板面積，適合各種電路設計需求。
2. **配置**：單個 N 溝道
- 適合用於各種開關控制電路，提高電路的集成度和靈活性。
3. **V_DS（漏源電壓）**：150V
- 支持高壓應用，能夠處理更高電壓的開關需求。
4. **V_GS（柵源電壓）**：±20V
- 提供靈活的柵極驅動電壓，適應不同的控制電壓要求。
5. **V_th（閾值電壓）**：1.89V
- 在此電壓下，MOSFET 開始導通，確保低電壓控制下的穩定操作。
6. **R_DS(ON)（開態電阻）**：100 mΩ @ V_GS = 10V
- 相對較低的開態電阻，雖然稍高於高性能 MOSFET，但仍然能有效降低功耗並提高開關效率。
7. **I_D（連續漏電流）**：15A
- 適用於中等電流的應用場合，能夠處理適度的電流負載。
8. **技術**：溝槽型（Trench）
- 提供良好的開關性能和穩定的電流處理能力，適合各種中高壓應用。
1. **封裝**：TO-252
- 提供了良好的散熱性能和適中的占板面積，適合各種電路設計需求。
2. **配置**：單個 N 溝道
- 適合用於各種開關控制電路，提高電路的集成度和靈活性。
3. **V_DS（漏源電壓）**：150V
- 支持高壓應用，能夠處理更高電壓的開關需求。
4. **V_GS（柵源電壓）**：±20V
- 提供靈活的柵極驅動電壓，適應不同的控制電壓要求。
5. **V_th（閾值電壓）**：1.89V
- 在此電壓下，MOSFET 開始導通，確保低電壓控制下的穩定操作。
6. **R_DS(ON)（開態電阻）**：100 mΩ @ V_GS = 10V
- 相對較低的開態電阻，雖然稍高於高性能 MOSFET，但仍然能有效降低功耗並提高開關效率。
7. **I_D（連續漏電流）**：15A
- 適用於中等電流的應用場合，能夠處理適度的電流負載。
8. **技術**：溝槽型（Trench）
- 提供良好的開關性能和穩定的電流處理能力，適合各種中高壓應用。
Domain and module applications：
應用實例
**1. 電源管理：**
- **領域**：開關電源
- **實例**：VBE1151M 可以用於開關電源（SMPS）中，尤其是在高壓電源模組的應用中。其高壓承受能力和穩定的開關性能使其能夠有效地處理電源中的高電壓和中等電流負載，提升電源的穩定性和效率。
**2. 電機控制：**
- **領域**：工業自動化
- **實例**：在電機驅動電路中，VBE1151M 可用於中等電流電機的開關控制。由於其良好的開關性能和適中的電流處理能力，能夠確保電機在工業自動化系統中的平穩運行。
**3. 電子開關：**
- **領域**：家電產品
- **實例**：應用於家電產品中的電子開關，例如高壓繼電器的替代品。VBE1151M 的高壓耐受能力和中等電流處理能力使其適用於各種家電中的開關控制應用。
**4. 逆變器：**
- **領域**：太陽能系統
- **實例**：在太陽能逆變器中，VBE1151M 可以用於逆變器的開關控制，幫助將直流電轉換為交流電。其高壓能力和穩定性能有助於提高逆變器的整體效率和可靠性。
**5. 電池保護：**
- **領域**：電池管理系統
- **實例**：在電池管理系統中，VBE1151M 用於保護電池免受過電流和過電壓的影響。其高壓承受能力和中等電流處理能力確保了電池系統的安全和穩定運行。
總之，VBE1151M MOSFET 是一款中高壓、中電流應用的高性能開關器件，廣泛適用於各種要求穩定性和可靠性的電子應用。
**1. 電源管理：**
- **領域**：開關電源
- **實例**：VBE1151M 可以用於開關電源（SMPS）中，尤其是在高壓電源模組的應用中。其高壓承受能力和穩定的開關性能使其能夠有效地處理電源中的高電壓和中等電流負載，提升電源的穩定性和效率。
**2. 電機控制：**
- **領域**：工業自動化
- **實例**：在電機驅動電路中，VBE1151M 可用於中等電流電機的開關控制。由於其良好的開關性能和適中的電流處理能力，能夠確保電機在工業自動化系統中的平穩運行。
**3. 電子開關：**
- **領域**：家電產品
- **實例**：應用於家電產品中的電子開關，例如高壓繼電器的替代品。VBE1151M 的高壓耐受能力和中等電流處理能力使其適用於各種家電中的開關控制應用。
**4. 逆變器：**
- **領域**：太陽能系統
- **實例**：在太陽能逆變器中，VBE1151M 可以用於逆變器的開關控制，幫助將直流電轉換為交流電。其高壓能力和穩定性能有助於提高逆變器的整體效率和可靠性。
**5. 電池保護：**
- **領域**：電池管理系統
- **實例**：在電池管理系統中，VBE1151M 用於保護電池免受過電流和過電壓的影響。其高壓承受能力和中等電流處理能力確保了電池系統的安全和穩定運行。
總之，VBE1151M MOSFET 是一款中高壓、中電流應用的高性能開關器件，廣泛適用於各種要求穩定性和可靠性的電子應用。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features
Technical support：
* If you have any questions about the product, please fill out the form to submit, we will reply you within 24 hours
