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VBM1206N Product details
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產品概述：VBM1206N
VBM1206N 是一款高性能的單極N溝MOSFET，採用TO220封裝，專為需要高電壓和高電流處理能力的應用設計。該MOSFET具備200V的漏源電壓（V_DS）和±20V的柵源電壓（V_GS），適用於高壓電源和功率轉換應用。其閾值電壓（V_th）為3.35V，具有57mΩ的低導通電阻（R_DS(on)）@ V_GS = 10V，能夠在高電流條件下保持高效性能，最大連續漏極電流（I_D）為35A。該MOSFET採用Trench技術，提供優異的開關性能和低導通損耗。
VBM1206N 是一款高性能的單極N溝MOSFET，採用TO220封裝，專為需要高電壓和高電流處理能力的應用設計。該MOSFET具備200V的漏源電壓（V_DS）和±20V的柵源電壓（V_GS），適用於高壓電源和功率轉換應用。其閾值電壓（V_th）為3.35V，具有57mΩ的低導通電阻（R_DS(on)）@ V_GS = 10V，能夠在高電流條件下保持高效性能，最大連續漏極電流（I_D）為35A。該MOSFET採用Trench技術，提供優異的開關性能和低導通損耗。
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Product parameter：
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO220 | Single-N | 200V | 20V（±V） | 3.35V | 35A | 57(mΩ) | Trench |
詳細參數說明
- **漏源電壓 (V_DS):** 200V
- 漏極和源極之間可以承受的最大電壓。
- **柵源電壓 (V_GS):** ±20V
- 柵極和源極之間可以施加的最大電壓。
- **閾值電壓 (V_th):** 3.35V
- 開啟MOSFET所需的最小柵源電壓。
- **導通電阻 (R_DS(on)):** 57mΩ @ V_GS = 10V
- 當MOSFET處於“開啟”狀態時，漏極和源極之間的電阻，測量柵源電壓為10V時的值。
- **連續漏極電流 (I_D):** 35A
- 當設備得到適當散熱時，漏極端可以流過的最大連續電流。
- **封裝類型:** TO220
- MOSFET的物理封裝，提供良好的散熱性能且易於安裝。
- **配置:** 單極N溝
- 表示該MOSFET具有單個N溝道用於導電。
- **Trench技術:**
- 表示MOSFET採用Trench技術製造，提供優異的開關性能和低導通損耗。
- **漏源電壓 (V_DS):** 200V
- 漏極和源極之間可以承受的最大電壓。
- **柵源電壓 (V_GS):** ±20V
- 柵極和源極之間可以施加的最大電壓。
- **閾值電壓 (V_th):** 3.35V
- 開啟MOSFET所需的最小柵源電壓。
- **導通電阻 (R_DS(on)):** 57mΩ @ V_GS = 10V
- 當MOSFET處於“開啟”狀態時，漏極和源極之間的電阻，測量柵源電壓為10V時的值。
- **連續漏極電流 (I_D):** 35A
- 當設備得到適當散熱時，漏極端可以流過的最大連續電流。
- **封裝類型:** TO220
- MOSFET的物理封裝，提供良好的散熱性能且易於安裝。
- **配置:** 單極N溝
- 表示該MOSFET具有單個N溝道用於導電。
- **Trench技術:**
- 表示MOSFET採用Trench技術製造，提供優異的開關性能和低導通損耗。
Domain and module applications：
應用示例
**1. 電源轉換器:**
- VBM1206N MOSFET 可用於高壓DC-DC轉換器和開關模式電源（SMPS）。其高電壓和高電流處理能力使其適合在電源轉換過程中作為主要開關元件，確保高效的能源轉換和穩定的電源輸出。
**2. 電動機驅動:**
- 該MOSFET 在電動機驅動應用中表現出色，特別是用於高功率電動機控制系統，如工業電動機驅動和電動工具。其低R_DS(on) 確保了在高電流情況下的低功率損耗和高效率。
**3. 電池管理系統:**
- 在電池管理系統中，VBM1206N 可以用作開關元件，進行電池的充電和放電控制。其高電壓和高電流能力確保了電池管理系統的可靠性和效率。
**4. 逆變器:**
- 在太陽能逆變器和風能逆變器中，VBM1206N MOSFET 的高電壓處理能力使其適用於轉換和調節來自可再生能源的電力，提供穩定的電源輸出。
**5. 電力電子模組:**
- 該MOSFET 可用於各種電力電子模組中，如功率因數校正（PFC）電路和電源保護電路。其低導通電阻和高電流處理能力使其成為電力電子設計中的關鍵組件。
通過將VBM1206N MOSFET 應用於這些領域，設計師可以實現高效、可靠的性能，滿足現代電子系統對高電壓和高電流處理的要求。
**1. 電源轉換器:**
- VBM1206N MOSFET 可用於高壓DC-DC轉換器和開關模式電源（SMPS）。其高電壓和高電流處理能力使其適合在電源轉換過程中作為主要開關元件，確保高效的能源轉換和穩定的電源輸出。
**2. 電動機驅動:**
- 該MOSFET 在電動機驅動應用中表現出色，特別是用於高功率電動機控制系統，如工業電動機驅動和電動工具。其低R_DS(on) 確保了在高電流情況下的低功率損耗和高效率。
**3. 電池管理系統:**
- 在電池管理系統中，VBM1206N 可以用作開關元件，進行電池的充電和放電控制。其高電壓和高電流能力確保了電池管理系統的可靠性和效率。
**4. 逆變器:**
- 在太陽能逆變器和風能逆變器中，VBM1206N MOSFET 的高電壓處理能力使其適用於轉換和調節來自可再生能源的電力，提供穩定的電源輸出。
**5. 電力電子模組:**
- 該MOSFET 可用於各種電力電子模組中，如功率因數校正（PFC）電路和電源保護電路。其低導通電阻和高電流處理能力使其成為電力電子設計中的關鍵組件。
通過將VBM1206N MOSFET 應用於這些領域，設計師可以實現高效、可靠的性能，滿足現代電子系統對高電壓和高電流處理的要求。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features
Technical support：
* If you have any questions about the product, please fill out the form to submit, we will reply you within 24 hours
