VBP19R10S Product details
Product introduction:
產品簡介:
VBP19R10S 是一款單 N 溝道 MOSFET,封裝形式為 TO-247。這款 MOSFET 適用於高電壓應用,能夠承受高達 900V 的漏源電壓(VDS)和 ±30V 的柵源電壓(VGS)。其門限電壓(Vth)為 3V,在 VGS = 10V 時,導通電阻(RDS(ON))為 750mΩ,支持的連續漏極電流(ID)最高可達 10A。該器件採用 SJ_Multi-EPI 技術,適合用於需要高電壓和較大電流的應用場景。
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Product parameter:
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp(V) | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO247 | Single-N | 900V | 30V(±V) | 3V | 10A | 750(mΩ) | SJ_Multi-EPI |
- **封裝形式**:TO-247
- **配置**:單 N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**:900V
- **最大柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **門限電壓 (Vth)**:3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:750mΩ @ VGS = 10V
- **連續漏極電流 (ID)**:10A
- **技術**:SJ_Multi-EPI
Domain and module applications:
1. **高壓電源轉換器**:
VBP19R10S 適用於高壓開關電源和 DC-DC 轉換器。其高電壓耐受能力和適中的導通電阻使其能夠在高壓條件下穩定工作,適合用於電源模組的高壓開關應用。
2. **工業電機驅動**:
在工業電機驅動系統中,VBP19R10S 能夠處理高電壓的啟動和控制需求。其較高的漏極電流能力和良好的電壓耐受性確保了電機在負載變化時的可靠運行。
3. **高壓照明控制**:
適用於高壓照明系統,如氙氣燈或其他高功率照明設備。該 MOSFET 可以在高電壓條件下穩定開關,確保照明系統的高效和穩定運行。
4. **逆變器和電源模組**:
在太陽能逆變器和其他電源模組中,VBP19R10S 的高電壓處理能力使其適合用來進行高效的電能轉換。其性能能夠支持逆變器將直流電源轉換為交流電源的過程。
5. **焊接設備**:
在高電壓焊接設備中,VBP19R10S 的耐高壓特性使其能夠在高電壓條件下穩定工作,適合用於焊接控制電路的高壓開關。
6. **電池管理系統**:
在高電壓電池管理系統中,例如電動汽車的電池組,VBP19R10S 可以用於管理充電和放電過程中的高電壓開關,確保系統的安全性和效率。
通過使用 VBP19R10S MOSFET,工程師可以在各種高電壓和大電流的應用中獲得穩定、可靠的開關性能,滿足嚴格的電氣要求。
Technical support:
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