VBP15R20S Product details
Product introduction:
VBP15R20S是一款高性能的單N溝道MOSFET,採用TO247封裝。其主要特點包括500V的漏源電壓(VDS)、±30V的柵源電壓(VGS)和3V的閾值電壓(Vth)。該器件具有140mΩ的導通電阻(RDS(ON))@VGS=10V,並支持高達20A的連續漏極電流(ID)。VBP15R20S採用先進的SJ(超級結)多重外延技術(SJ_Multi-EPI),在高壓應用中提供卓越的性能和可靠性。
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Product parameter:
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp(V) | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO247 | Single-N | 500V | 30V(±V) | 3V | 20A | 140(mΩ) | SJ_Multi-EPI |
- **型號**: VBP15R20S
- **封裝類型**: TO247
- **配置**: 單N溝道(Single-N)
- **漏源電壓(VDS)**: 500V
- **柵源電壓(VGS)**: ±30V
- **閾值電壓(Vth)**: 3V
- **導通電阻(RDS(ON))**: 140mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**: 20A
- **技術**: SJ多重外延(SJ_Multi-EPI)
Domain and module applications:
1. **工業電源**
VBP15R20S由於其高壓和高電流處理能力,非常適合用於工業電源模組。在這些應用中,該MOSFET可以在高效率轉換和穩壓方面發揮重要作用,確保電源系統的可靠性和穩定性。
2. **電動汽車充電站**
該器件的高壓特性使其適用於電動汽車充電站,特別是在直流快速充電模組中。其低導通電阻和高耐壓性能夠提高充電效率,並減少功率損耗,從而為電動汽車提供更快、更可靠的充電服務。
3. **太陽能逆變器**
在太陽能逆變器應用中,VBP15R20S可以用於直流到交流的高效能轉換。這些逆變器需要處理高電壓和大電流,該MOSFET的特性能夠滿足這些需求,提供高效率和低熱損耗的解決方案。
4. **不間斷電源(UPS)系統**
不間斷電源系統需要在電力故障時快速回應,提供持續的電力供應。VBP15R20S的快速開關性能和高電流處理能力使其成為UPS系統中理想的選擇,確保系統在電力中斷時能夠迅速切換到備用電源。
通過這些例子可以看出,VBP15R20S在需要高壓、高電流和高效率的應用中具有廣泛的適用性,其優異的電氣特性和可靠性為各種關鍵性應用提供了理想的解決方案。
Technical support:
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