VBMB13R05 Product details
Product introduction:
VBMB13R05 是一款高壓單極N溝MOSFET,專為各種高效能應用設計。該MOSFET採用TO220F封裝,提供了一種在空間和效率要求嚴苛的應用中可靠的解決方案。該器件的漏源電壓(V_DS)為300V,柵源電壓(V_GS)為±20V,適用於高壓應用。其閾值電壓(V_th)為3V,在V_GS = 10V時具有800mΩ的低導通電阻(R_DS(on)),提供了高效的性能,最大連續漏極電流(I_D)為5A。
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Product parameter:
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp(V) | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO220F | Single-N | 300V | 20V(±V) | 3V | 5A | 800(mΩ) | Plannar |
- **漏源電壓 (V_DS):** 300V
- 漏極和源極之間可以施加的最大電壓。
- **柵源電壓 (V_GS):** ±20V
- 柵極和源極之間可以施加的最大電壓。
- **閾值電壓 (V_th):** 3V
- 開啟MOSFET所需的最小柵源電壓。
- **導通電阻 (R_DS(on)):** 800mΩ @ V_GS = 10V
- 當MOSFET處於“開啟”狀態時,漏極和源極之間的電阻,測量柵源電壓為10V時的值。
- **連續漏極電流 (I_D):** 5A
- 當設備得到適當散熱時,漏極端可以流過的最大連續電流。
- **封裝類型:** TO220F
- MOSFET的物理封裝,提供良好的散熱性能且易於安裝。
- **配置:** 單極N溝
- 表示該MOSFET具有單個N溝道用於導電。
- **平面技術:**
- 表示MOSFET採用平面技術製造,適用於各種應用,提供可靠的性能。
Domain and module applications:
**1. 電源模組:**
- VBMB13R05 MOSFET 可用於開關模式電源(SMPS)和DC-DC轉換器。其高電壓和電流處理能力使其成為電源電路中的主要開關器件,確保高效的能源轉換和調節。
**2. 電動機驅動:**
- 該MOSFET 適用於電動機控制應用,包括工業電動機驅動和電動車動力系統。低R_DS(on) 確保在操作期間功率損耗最小,這對高效能電動機驅動系統至關重要。
**3. LED照明系統:**
- 在LED驅動器中,VBMB13R05 可用於開關和調光應用。其高電壓處理能力使其適合於控制高功率照明系統中的LED串,確保對光照水準的精確控制。
**4. 可再生能源系統:**
- 該MOSFET 可用於太陽能逆變器和風力發電轉換器,這些應用需要處理高電壓和電流。其穩健的性能確保了在轉換和管理可再生能源生成的電能時的可靠性。
**5. 工業自動化:**
- 在工業自動化系統中,VBMB13R05 可用於繼電器驅動器、繼電器線圈驅動器及其他需要高功率負載高效可靠開關的控制系統。
通過將VBMB13R05 MOSFET 集成到這些應用中,設計師可以實現高效、可靠的性能,使其成為現代電子系統中的多功能組件。
Technical support:
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