VBM19R10S Product details
Product introduction:
VBM19R10S 是一種高壓單N溝道MOSFET,採用TO220封裝,適用於多種高性能應用。其主要特性包括900V的漏源電壓(VDS)、±30V的柵源電壓(VGS)、3V的門限電壓(Vth),以及在VGS=10V時導通電阻(RDS(ON))為750mΩ。該器件能夠承載高達10A的連續漏極電流,採用了超結多重外延(SJ_Multi-EPI)技術,提供優異的電氣性能和高效率。
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Product parameter:
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp(V) | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO220 | Single-N | 900V | 30V(±V) | 3V | 10A | 750(mΩ) | SJ_Multi-EPI |
- **封裝類型 (Package)**: TO220
- **器件類型 (Configuration)**: 單N溝道 (Single-N)
- **漏源電壓 (VDS)**: 900V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **門限電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 750mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 10A
- **技術**: 超結多重外延 (SJ_Multi-EPI)
Domain and module applications:
1. **電源管理模組**: VBM19R10S 由於其高壓和高電流能力,非常適合應用在開關電源(SMPS)、不間斷電源(UPS)以及DC-DC轉換器中。這些應用中,該器件能有效地提高轉換效率,減少功率損耗,從而提升系統的整體性能和可靠性。
2. **工業控制系統**: 在工業自動化和控制系統中,該MOSFET可以用於電機驅動、工業變頻器和控制器等場景。其高耐壓能力和低導通電阻確保在高功率應用中提供穩定和高效的性能。
3. **太陽能和可再生能源系統**: 在太陽能逆變器和風能轉換系統中,VBM19R10S 可用於處理高電壓和高電流的轉換需求。其高效能有助於提高能源轉換效率,並降低系統的功耗和熱損耗。
4. **照明系統**: 該器件也適用於高功率LED照明系統,尤其是在需要高效率和長壽命的工業和商業照明應用中。VBM19R10S 的高電壓和電流特性有助於提供穩定的驅動電流,確保照明系統的可靠性和高效能。
這些應用場景展示了VBM19R10S的多功能性和高性能,使其成為各種高壓、高功率電子系統的理想選擇。
Technical support:
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