MOSFET

VBFB14R04 Product details

Product introduction:

VBFB14R04 MOSFET 產品簡介

VBFB14R04 是一款單個 N 通道 MOSFET,封裝類型為 TO251。該 MOSFET 設計用於處理高電壓應用,最大漏極-源極電壓(VDS)為 400V,最大柵極-源極電壓(VGS)為 ±20V。其閾值電壓(Vth)為 3V,柵源電壓為 10V 時的導通電阻(RDS(ON))為 2100mΩ。該 MOSFET 能夠承載最高 4A 的連續漏極電流(ID)。

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Product parameter:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO251 Single-N 400V 20V(±V) 3V 4A 2100(mΩ) Plannar
詳細參數說明

- **封裝類型**: TO251
- **配置**: 單 N 通道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**: 400V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 2100mΩ @ VGS = 10V
- **連續漏極電流 (ID)**: 4A
- **技術**: 平面型

Domain and module applications:

應用領域示例

1. **電源單元 (PSUs)**:
- VBFB14R04 非常適合用於高電壓電源單元。在飛行背轉換器的主側或提升轉換器中的開關中應用,可以實現高效的電源轉換,尤其是在需要高電壓耐受能力的場合。

2. **工業電機驅動**:
- 在電機驅動應用中,特別是在工業環境中,VBFB14R04 的高電壓和電流處理能力使其適合用於驅動電機。在變頻驅動 (VFD) 的逆變器階段中,可以有效控制電機的速度和扭矩。

3. **照明鎮流器**:
- 在高強度放電 (HID) 燈或螢光燈的電子鎮流器應用中,VBFB14R04 的高電壓額定值使其能夠有效管理高電壓尖峰並調節電流流動,確保穩定可靠的運行。

4. **可再生能源系統**:
- 在光伏 (PV) 太陽能逆變器中,VBFB14R04 可以用於將太陽能板的直流電轉換為交流電。其高電壓和電流額定值確保能夠處理來自太陽能板的變化輸出,提升系統整體效率。

5. **電信設備**:
- 這款 MOSFET 適用於電信基礎設施中的高電壓應用,如功率放大器和基站電源。VBFB14R04 能夠確保高效的電源管理和信號完整性。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

Technical support:

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