MOSFET

VBFB13R05 Product details

Product introduction:

VBFB13R05 MOSFET 產品簡介

產品簡介:
VBFB13R05 是一款單 N 溝道 MOSFET,封裝形式為 TO-251。它適用於需要高電壓和大電流的應用,提供了穩定可靠的性能。該 MOSFET 的最大漏源電壓(VDS)為 300V,柵源電壓(VGS)為 ±20V。門限電壓(Vth)為 3V,在 VGS = 10V 時,其導通電阻(RDS(ON))為 800mΩ,支持的連續漏極電流(ID)最高可達 5A。該器件採用平面技術,適用於各種高電壓應用。

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Product parameter:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO251 Single-N 300V 20V(±V) 3V 5A 800(mΩ) Plannar
詳細參數:
- **封裝形式**:TO-251
- **配置**:單 N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**:300V
- **最大柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **門限電壓 (Vth)**:3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:800mΩ @ VGS = 10V
- **連續漏極電流 (ID)**:5A
- **技術**:平面

Domain and module applications:

應用實例:

1. **電源模組**:
VBFB13R05 可用於開關電源(SMPS)和 DC-DC 轉換器。其高電壓耐受性和適中的電流容量使其適合這些應用,其低導通電阻有助於減少導通損耗,提高整體效率。

2. **電機控制**:
在電機控制電路中,尤其是在工業和汽車應用中,該 MOSFET 可用於驅動需要較高電壓的電機。其穩健的電壓處理能力和電流額定值確保了在不同負載下的可靠運行。

3. **照明系統**:
在高強度放電(HID)照明和 LED 驅動器中,VBFB13R05 的高電壓管理能力非常有用。其開關效率確保了穩定高效的照明控制。

4. **電池管理系統**:
在電動汽車(EV)和儲能系統的電池管理中,VBFB13R05 提供了可靠的高電壓開關能力。其特性使其能夠有效管理充放電週期。

5. **逆變器電路**:
在太陽能逆變器等可再生能源系統中,VBFB13R05 可用於將 DC 電源轉換為 AC 電源。其高電壓額定值支持必要的電壓轉換過程。

6. **音頻放大器**:
在 Class D 音頻放大器中,VBFB13R05 的快速開關速度和高電壓能力使其成為高效放大的理想選擇,且能最小化失真。

通過利用 VBFB13R05 MOSFET 的高電壓處理能力、適中的電流額定值和高效性能,工程師可以設計出在多種高電壓應用中可靠且高效的電路。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

Technical support:

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