MOSFET

VBP15R11S Product details

Product introduction:

VBP15R11S 產品簡介

VBP15R11S是一款高電壓單N溝道MOSFET,採用TO247封裝,設計用於高電壓和中等電流的應用。該MOSFET具有500V的漏源電壓(VDS)和±30V的柵源電壓(VGS),閾值電壓為3.3V。它採用SJ_Multi-EPI技術,提供中等導通電阻,在VGS為10V時的導通電阻為380mΩ,最大漏極電流(ID)為11A。VBP15R11S適合用於高電壓開關、功率調節和保護電路,能夠在高電壓條件下保持穩定的性能。

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Product parameter:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO247 Single-N 500V 30V(±V) 3.3V 11A 380(mΩ) SJ_Multi-EPI
VBP15R11S 詳細參數說明

| 參數 | 值 | 單位 |
|--------------------|-------------------|------|
| 封裝類型 | TO247 | |
| 配置 | 單N溝道 | |
| 漏源電壓 (VDS) | 500 | V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±30 | V |
| 閾值電壓 (Vth) | 3.3 | V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 380 (VGS=10V) | mΩ |
| 最大漏極電流 (ID) | 11 | A |
| 技術 | SJ_Multi-EPI | |

Domain and module applications:

VBP15R11S 適用領域和模組

1. **高電壓開關(High-Voltage Switching)**:
VBP15R11S在高電壓開關應用中非常有效,適用於需要處理高電壓(500V)的開關任務。其高電壓能力和可靠的開關性能使其成為電源管理和高電壓控制電路的理想選擇,能夠確保系統的穩定和安全。

2. **功率調節(Power Regulation)**:
在功率調節應用中,VBP15R11S能夠提供穩定的電流控制和調節功能。其中等導通電阻(380mΩ)和高電壓特性使其適用於各種功率調節器和電源調節器,幫助實現高效的功率轉換和管理。

3. **電源保護(Power Protection)**:
該MOSFET在電源保護電路中表現出色,適用於高電壓保護任務,如過電壓保護和過流保護。其高電壓能力和可靠性確保了電源系統的安全性和設備的保護,有效防止電源故障和損壞。

4. **逆變器(Inverters)**:
VBP15R11S在逆變器應用中表現良好,適用於高電壓逆變電路的開關和控制。其500V的漏源電壓能力使其能夠穩定工作於高電壓逆變器設計中,適合於工業和家用逆變器系統。

5. **電力電子設備(Power Electronics)**:
在電力電子設備中,VBP15R11S能夠處理高電壓和中等電流負載,適用於電力變換器和高壓開關應用。其高電壓和中等導通電阻特性使其能夠在電力電子系統中提供高效的開關和控制。

VBP15R11S憑藉其高電壓處理能力和中等電流能力,適用於各種高電壓和功率調節應用,為電源管理、電源保護和電力電子設備提供了可靠的解決方案。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

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