VBMB16R02S Product details
Product introduction:
VBMB16R02S 是一款高電壓 N 型 MOSFET,封裝形式為 TO-220F。其漏極-源極耐壓(VDS)為 600V,適用於高電壓應用。柵極-源極最大電壓為 ±30V,確保了器件在各種操作條件下的安全性。其門檻電壓(Vth)為 3.3V,表明在較低的柵極電壓下也能有效導通。該 MOSFET 在柵極電壓為 10V 時的導通電阻(RDS(ON))為 2300mΩ,提供可靠的低損耗性能。最大連續漏極電流(ID)為 2A,適合低至中等電流應用。採用了 SJ_Multi-EPI 技術,進一步提升了器件的性能和耐用性。
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Product parameter:
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp(V) | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO220F | Single-N | 600V | 30V(±V) | 3.3V | 2A | 2300(mΩ) | SJ_Multi-EPI |
- **型號**: VBMB16R02S
- **封裝形式**: TO-220F
- **配置**: 單 N 型 MOSFET
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 600V
- **柵極-源極最大電壓 (VGS)**: ±30V
- **門檻電壓 (Vth)**: 3.3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 2300mΩ (VGS = 10V)
- **最大連續漏極電流 (ID)**: 2A
- **技術**: SJ_Multi-EPI
Domain and module applications:
VBMB16R02S MOSFET 的高電壓耐受能力和較高的導通電阻,使其適用於以下領域和模組:
1. **電源管理**:
- **高壓開關電源**: 在高壓開關電源中,VBMB16R02S 可作為開關元件使用,處理高電壓和低至中等電流,確保電源轉換效率和可靠性。
- **電源保護電路**: 適用於電源保護電路,提供高電壓保護,防止過電壓損害電子設備。
2. **工業應用**:
- **高壓控制電路**: 在工業控制系統中,VBMB16R02S 能處理高電壓和中等電流,適用於需要高功率開關的應用,如工業自動化設備和電機控制。
- **工業電源模組**: 適用於工業電源模組中,提供穩定的開關性能和高效能,確保設備的可靠運行。
3. **電氣保護**:
- **高壓保護裝置**: 在高壓保護裝置中,VBMB16R02S 可用作開關元件,保護電路免受過電壓和過電流的損害,確保系統的安全運行。
- **功率分配模組**: 適用於高壓功率分配模組中,提供高電壓耐受能力和可靠的導通性能,增強系統的穩定性和效率。
總之,VBMB16R02S MOSFET 的高電壓耐受能力和適中的導通電阻,使其在電源管理、工業應用和電氣保護等高電壓環境下表現出色,是高效和可靠的選擇。
Technical support:
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