VBMB165R02S Product details
Product introduction:
**VBMB165R02S** 是一款採用 SJ_Multi-EPI 技術的單極 N 通道 MOSFET,封裝形式為 TO220F。這款 MOSFET 設計用於高電壓、低電流的開關應用,具有較高的耐壓能力和較高的導通電阻。適用於需要高電壓處理且電流負載較低的應用場景,如高壓電源管理和保護電路等。
File download
Download PDF document
Download now
Product parameter:
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp(V) | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO220F | Single-N | 650V | 30V(±V) | 3.3V | 2A | 2300(mΩ) | SJ_Multi-EPI |
- **封裝**:TO220F
- **配置**:單極 N 通道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**:650V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**:±30V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:3.3V
- **導通電阻 (RDS(on))**:
- 2300mΩ @ VGS = 10V
- **最大連續漏極電流 (ID)**:2A
- **技術**:SJ_Multi-EPI 技術
Domain and module applications:
**VBMB165R02S** 的特性使其適用於以下多個應用領域和模組:
1. **高壓電源管理**:
- 在高壓電源管理系統中,例如高壓 DC-DC 轉換器和電源供應模組,該 MOSFET 適合作為高電壓開關使用。它可以處理較高電壓操作,提供穩定的電流控制,確保系統的可靠性和性能。
2. **工業電源系統**:
- 在工業電源系統中,VBMB165R02S 能夠處理高電壓和低電流負載,適合用於電源開關和功率轉換應用,例如工業設備的電源管理和電動機驅動器。
3. **高壓保護電路**:
- 在高壓保護電路中,如過電壓保護和電壓調節電路,該 MOSFET 可用於高電壓開關和保護功能,確保電路的穩定運行和保護性能。
4. **電力電子設備**:
- 在電力電子設備中,該 MOSFET 可用於高電壓處理和低電流開關應用,例如逆變器、電壓調節器和開關模式電源(SMPS)。
5. **消費電子和家電**:
- 在一些消費電子產品和家用電器的電源管理模組中,儘管電流需求較低,但電壓要求較高的場景下,VBMB165R02S 能夠提供高效的電流控制和開關功能,適用於需要高電壓處理的小型電源模組和保護電路。
綜上所述,VBMB165R02S 是一款高電壓、低電流能力的 MOSFET,特別適合用於高壓電源管理、工業電源系統和高壓保護電路等應用場合,能夠提供穩定的性能和可靠的電流控制。
Technical support:
* If you have any questions about the product, please fill out the form to submit, we will reply you within 24 hours
中文
English
Back to previous page
Click for larger image