VBM18R10S Product details
Product introduction:
VBM18R10S 是一款高電壓 N 溝道 MOSFET,採用 TO220 封裝。這款器件基於多層 EPI 技術,能夠承受高達 800V 的漏源電壓,並提供穩定的開關性能。VBM18R10S 的設計使其在高電壓環境下仍能保持較低的導通電阻,適合於高電壓電源管理和功率控制應用。
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Product parameter:
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp(V) | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO220 | Single-N | 800V | 30V(±V) | 3.5V | 10A | 600(mΩ) | SJ_Multi-EPI |
- **型號**: VBM18R10S
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 800V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **柵閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 600mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 10A
- **技術**: SJ_Multi-EPI
Domain and module applications:
1. **高電壓電源轉換器**:VBM18R10S 的高漏源電壓能力使其適用於高電壓電源轉換器,如交流-直流 (AC-DC) 轉換器和直流-直流 (DC-DC) 轉換器。它能夠在高電壓條件下提供穩定的開關性能,確保電源系統的安全和高效。
2. **功率逆變器**:在功率逆變器中,VBM18R10S 可以用於高電壓 DC-AC 轉換過程,如太陽能逆變器和風能逆變器。其高電壓承載能力和低導通電阻能夠有效提升逆變器的整體性能和可靠性。
3. **高電壓開關**:該 MOSFET 可用於高電壓開關應用,如高壓電源開關和負載開關。其設計能夠處理高電壓負載,適合用於工業設備和高電壓控制電路。
4. **電機驅動系統**:在高電壓電機驅動系統中,VBM18R10S 能夠控制高電壓電機的啟動和運行。它的高電壓承受能力和良好的導通性能使其適合用於大型工業電機和電動工具。
5. **電池管理系統**:該 MOSFET 可用於電池管理系統中的高電壓控制模組,特別是在高電壓儲能系統和電動汽車電池管理中。它能夠有效管理電池的充放電過程,提供穩定的性能和保護功能。
Technical support:
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