中文
English
VBM16R02S Product details
Back to previous pageProduct introduction：
VBM16R02S 產品簡介
**產品名稱**: VBM16R02S
**封裝**: TO220
**配置**: 單極N溝MOSFET（Single-N）
VBM16R02S是一款高耐壓的單N溝MOSFET，採用TO220封裝，設計用於處理600V電壓和2A電流應用。該器件採用SJ_Multi-EPI技術，具有較高的耐壓和相對較高的導通電阻，適合各種需要高電壓MOSFET配置的應用場景。
**產品名稱**: VBM16R02S
**封裝**: TO220
**配置**: 單極N溝MOSFET（Single-N）
VBM16R02S是一款高耐壓的單N溝MOSFET，採用TO220封裝，設計用於處理600V電壓和2A電流應用。該器件採用SJ_Multi-EPI技術，具有較高的耐壓和相對較高的導通電阻，適合各種需要高電壓MOSFET配置的應用場景。
File download
Download PDF document
Download now
Product parameter：
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO220 | Single-N | 600V | 30V（±V） | 3.3V | 2A | 2300(mΩ) | SJ_Multi-EPI |
詳細參數說明
- **V_DS（漏源電壓）**: 600V
MOSFET漏極與源極之間能夠承受的最大電壓。
- **V_GS（柵源電壓）**: ±30V
MOSFET柵極與源極之間允許的最大電壓。
- **V_th（柵極閾值電壓）**: 3.3V
使MOSFET開始導通所需的最小柵源電壓。
- **R_DS(ON)（漏源導通電阻）**: 2300mΩ @ V_GS = 10V
MOSFET在導通狀態下漏極與源極之間的電阻。較高的R_DS(ON)值表明相對較高的導通損耗。
- **I_D（連續漏極電流）**: 2A
MOSFET能夠承受的最大連續漏極電流。
- **技術**: SJ_Multi-EPI
採用SJ_Multi-EPI技術，提供高耐壓和較高的電流處理能力，適合高電壓應用。
- **V_DS（漏源電壓）**: 600V
MOSFET漏極與源極之間能夠承受的最大電壓。
- **V_GS（柵源電壓）**: ±30V
MOSFET柵極與源極之間允許的最大電壓。
- **V_th（柵極閾值電壓）**: 3.3V
使MOSFET開始導通所需的最小柵源電壓。
- **R_DS(ON)（漏源導通電阻）**: 2300mΩ @ V_GS = 10V
MOSFET在導通狀態下漏極與源極之間的電阻。較高的R_DS(ON)值表明相對較高的導通損耗。
- **I_D（連續漏極電流）**: 2A
MOSFET能夠承受的最大連續漏極電流。
- **技術**: SJ_Multi-EPI
採用SJ_Multi-EPI技術，提供高耐壓和較高的電流處理能力，適合高電壓應用。
Domain and module applications：
應用領域
VBM16R02S MOSFET適用於各種需要高耐壓MOSFET配置的應用，特別是在高電壓和中等電流的場景中：
1. **電源轉換**:
- **高壓DC-DC轉換器**: 在高壓DC-DC轉換器中作為開關元件，能夠處理高達600V的電壓，適用於高壓電源的轉換和調節。
- **電源適配器**: 在電源適配器中用於高電壓開關和控制，提供穩定的電壓輸出。
2. **工業控制**:
- **電機驅動**: 在工業電機驅動系統中，作為高電壓開關，提供高效的電流控制和保護。
- **功率模組**: 在各種功率模組中，處理高電壓和中等電流的應用，確保系統的高效性和穩定性。
3. **電氣保護**:
- **過壓保護**: 用於高電壓電路中的過壓保護，防止電路中的過高電壓對其他元件造成損害。
- **高電壓開關**: 在需要高電壓開關的應用中，如繼電器驅動等，提供可靠的開關功能。
4. **能源管理**:
- **可再生能源系統**: 在太陽能發電系統等可再生能源應用中，作為高電壓開關和控制元件，處理高電壓電源的轉換和管理。
- **電力供應系統**: 在電力供應和分配系統中，作為高電壓開關，提供穩定的電源管理和控制。
VBM16R02S以其高耐壓能力和較高的電流處理能力，適合各種需要高電壓MOSFET的應用場景，確保系統的可靠性和穩定性。
VBM16R02S MOSFET適用於各種需要高耐壓MOSFET配置的應用，特別是在高電壓和中等電流的場景中：
1. **電源轉換**:
- **高壓DC-DC轉換器**: 在高壓DC-DC轉換器中作為開關元件，能夠處理高達600V的電壓，適用於高壓電源的轉換和調節。
- **電源適配器**: 在電源適配器中用於高電壓開關和控制，提供穩定的電壓輸出。
2. **工業控制**:
- **電機驅動**: 在工業電機驅動系統中，作為高電壓開關，提供高效的電流控制和保護。
- **功率模組**: 在各種功率模組中，處理高電壓和中等電流的應用，確保系統的高效性和穩定性。
3. **電氣保護**:
- **過壓保護**: 用於高電壓電路中的過壓保護，防止電路中的過高電壓對其他元件造成損害。
- **高電壓開關**: 在需要高電壓開關的應用中，如繼電器驅動等，提供可靠的開關功能。
4. **能源管理**:
- **可再生能源系統**: 在太陽能發電系統等可再生能源應用中，作為高電壓開關和控制元件，處理高電壓電源的轉換和管理。
- **電力供應系統**: 在電力供應和分配系統中，作為高電壓開關，提供穩定的電源管理和控制。
VBM16R02S以其高耐壓能力和較高的電流處理能力，適合各種需要高電壓MOSFET的應用場景，確保系統的可靠性和穩定性。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features
Technical support：
* If you have any questions about the product, please fill out the form to submit, we will reply you within 24 hours
