VBM165R02S Product details
Product introduction:
VBM165R02S 是一款高電壓 N 溝道 MOSFET,採用 TO220 封裝。這款 MOSFET 設計用於需要高電壓承受能力的開關應用,支持高達 650V 的漏源電壓 (VDS) 和 ±30V 的柵源電壓 (VGS)。它使用了 SJ_Multi-EPI 技術,閾值電壓 (Vth) 為 3.3V。在 10V 的柵源電壓下,導通電阻為 2300mΩ,能夠處理高達 2A 的連續漏極電流 (ID)。VBM165R02S 適合用於高電壓電源管理和工業控制等需要高電壓和高功率處理的場景。
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Product parameter:
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp(V) | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO220 | Single-N | 650V | 30V(±V) | 3.3V | 2A | 2300(mΩ) | SJ_Multi-EPI |
| 參數 | 值 | 單位 |
|------------------------|--------------------------|--------|
| 產品型號 | VBM165R02S | |
| 封裝 | TO220 | |
| 配置 | 單 N 溝道 | |
| 漏源電壓 (VDS) | 650 | V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±30 | V |
| 閾值電壓 (Vth) | 3.3 | V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 2300 (VGS = 10V) | mΩ |
| 連續漏極電流 (ID) | 2 | A |
| 暫態脈衝漏極電流 (ID(pulse)) | 6 | A |
| 最大功耗 (Ptot) | 25 | W |
| 工作溫度範圍 | -55 至 +150 | °C |
| 存儲溫度範圍 | -55 至 +150 | °C |
| 技術 | SJ_Multi-EPI | |
Domain and module applications:
VBM165R02S 的高電壓能力和較高的功耗處理能力使其在多個領域和應用中表現優異,特別是在高電壓環境中。以下是幾個具體的應用示例:
1. **高電壓電源開關**:在高電壓電源管理系統中,VBM165R02S 可用作高電壓開關元件,如高電壓 DC-DC 轉換器和電源開關。其高漏源電壓和良好的功率處理能力使其適合處理高電壓負載。
2. **工業電源**:在工業自動化和電源控制系統中,VBM165R02S 可用於高電壓負載的控制和保護。其高電壓規格和耐久性使其在工業應用中表現可靠,尤其是在需要高功率開關的場合。
3. **電力轉換設備**:在電力轉換和分配設備中,如逆變器和功率模組,VBM165R02S 可作為關鍵開關元件。其高電壓承受能力和高功率處理能力有助於提升設備的效率和可靠性。
4. **電源保護系統**:在電源保護和過電壓保護系統中,VBM165R02S 可以用作保護開關,確保系統在過電壓或異常條件下保持安全。其高電壓能力使其特別適合於電源保護應用。
這些應用示例展示了 VBM165R02S 在高電壓環境中的關鍵作用,特別是在高電壓電源開關、電源保護系統和電力轉換設備中。
Technical support:
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