MOSFET

VBN195R03 Product details

Product introduction:

一、VBN195R03 產品簡介

VBN195R03 是一款高電壓 N 溝道 MOSFET,採用 TO262 封裝。這款 MOSFET 設計用於高電壓開關應用,支持高達 950V 的漏源電壓 (VDS) 和 ±30V 的柵源電壓 (VGS)。VBN195R03 採用 Plannar 技術,閾值電壓 (Vth) 為 3.2V。在 10V 的柵源電壓下,其導通電阻為 5400mΩ,並能夠處理高達 3.6A 的連續漏極電流 (ID)。這款 MOSFET 特別適合用於需要高電壓承受能力的應用場景,如高電壓電源開關和工業控制系統。

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Product parameter:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO262 Single-N 950V 30V(±V) 3.2V 3.6A 5400(mΩ) Plannar
二、VBN195R03 詳細參數說明

| 參數 | 值 | 單位 |
|------------------------|--------------------------|--------|
| 產品型號 | VBN195R03 | |
| 封裝 | TO262 | |
| 配置 | 單 N 溝道 | |
| 漏源電壓 (VDS) | 950 | V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±30 | V |
| 閾值電壓 (Vth) | 3.2 | V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 5400 (VGS = 10V) | mΩ |
| 連續漏極電流 (ID) | 3.6 | A |
| 暫態脈衝漏極電流 (ID(pulse)) | 10 | A |
| 最大功耗 (Ptot) | 45 | W |
| 工作溫度範圍 | -55 至 +175 | °C |
| 存儲溫度範圍 | -55 至 +175 | °C |
| 技術 | Plannar | |

Domain and module applications:

三、應用領域和模組示例

VBN195R03 的高電壓能力和低導通電阻特性使其在多個領域和應用中表現優異,尤其是在高電壓環境中。以下是幾個具體的應用示例:

1. **高電壓電源開關**:在需要承受高電壓的電源開關應用中,VBN195R03 能夠有效地切換高電壓負載。其高電壓耐受能力和較高的功率處理能力使其適合用於高壓 DC-DC 轉換器和電源管理系統中。

2. **工業控制系統**:在工業控制和自動化系統中,VBN195R03 可用於控制高電壓負載。其高電壓規格和高功耗處理能力使其適用於電機控制、功率開關和保護電路等應用。

3. **電源保護**:在高電壓電源保護系統中,VBN195R03 可以用作開關或保護元件,防止電源系統出現過電壓情況。其高電壓承受能力和穩定性使其適合用於電源保護模組中。

4. **電力設備**:在電力設備中,如高壓變換器和電力開關,VBN195R03 能夠處理高電壓應用中的關鍵開關功能。其高電流能力和高耐壓特性使其適合於各種高電壓電力設備。

這些應用示例展示了 VBN195R03 在高電壓環境中的關鍵作用,尤其是在高電壓電源開關、工業控制和電力設備中。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

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