VBFB16R02S Product details
Product introduction:
VBFB16R02S是一款高電壓單N溝道MOSFET,採用TO251封裝,設計用於需要高電壓和低電流的應用。該MOSFET具有600V的漏源電壓(VDS)和±30V的柵源電壓(VGS),閾值電壓為3.3V。它採用SJ_Multi-EPI技術,提供較高的導通電阻,在VGS為10V時的導通電阻為2300mΩ,最大漏極電流(ID)為2A。VBFB16R02S適合用於高電壓開關和保護電路,能夠在高電壓條件下保持可靠的性能。
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Product parameter:
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp(V) | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO251 | Single-N | 600V | 30V(±V) | 3.3V | 2A | 2300(mΩ) | SJ_Multi-EPI |
| 參數 | 值 | 單位 |
|--------------------|-------------------|------|
| 封裝類型 | TO251 | |
| 配置 | 單N溝道 | |
| 漏源電壓 (VDS) | 600 | V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±30 | V |
| 閾值電壓 (Vth) | 3.3 | V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 2300 (VGS=10V) | mΩ |
| 最大漏極電流 (ID) | 2 | A |
| 技術 | SJ_Multi-EPI | |
Domain and module applications:
1. **高電壓開關(High-Voltage Switching)**:
VBFB16R02S在高電壓開關應用中表現出色,特別適用於需要600V的高電壓開關任務。其高漏源電壓能力和高電流處理能力使其能夠在電源管理和高電壓控制中穩定工作,確保系統的安全和可靠。
2. **電源保護(Power Protection)**:
在電源保護應用中,VBFB16R02S能夠有效處理高電壓和低電流的保護任務。其高電壓能力和較高的導通電阻使其在過電壓保護和保護電路中表現可靠,能夠防止電源系統損壞和確保設備的安全運行。
3. **逆變器(Inverters)**:
在逆變器應用中,VBFB16R02S能夠處理高電壓負載,適用於高電壓逆變電路的開關和控制。其600V的漏源電壓能力使其在逆變器電路中提供可靠的開關性能,適合於工業和家用逆變器設計。
4. **電力電子設備(Power Electronics)**:
該MOSFET適用於各種電力電子設備,如高電壓變換器和電力調節器。其高電壓處理能力和低電流特性使其能夠在電力電子應用中提供高效的開關控制和穩定的性能。
5. **照明系統(Lighting Systems)**:
在高電壓照明系統中,VBFB16R02S能夠有效控制高電壓負載,適用於LED驅動和高壓燈控制。其高電壓能力和可靠的開關性能確保了照明系統的高效運作和長期穩定性。
VBFB16R02S憑藉其高電壓和低電流處理能力以及較高的導通電阻,適用於各種高電壓和低電流的應用,為電源管理、電源保護和電力電子設備提供了可靠的解決方案。
Technical support:
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