MOSFET

VBR9N2001K Product details

Product introduction:

VBR9N2001K 產品簡介

**VBR9N2001K** 是一款高耐壓 N-channel MOSFET,採用 TO-92 封裝,適用於各種高電壓、高可靠性應用。該器件能夠承受高達 200V 的漏源電壓,且具備相對較高的電流承載能力,最大漏極電流為 0.6A。VBR9N2001K 採用 Trench 結構,具有較低的導通電阻,適合用於高電壓電源管理和開關應用。

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Product parameter:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO92 Single-N 200V 20V(±V) 0.5V 0.6A 1200(mΩ) 1000(mΩ) Trench
詳細參數說明

- **封裝類型**: TO-92
- **配置**: 單極性(Single-N)
- **漏源電壓 (V_DS)**: 200V
- **柵源電壓 (V_GS)**: ±20V
- **閾值電壓 (V_th)**: 0.5V
- **導通電阻 (R_DS(on))**:
- 1200 mΩ @ V_GS = 4.5V
- 1000 mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏極電流 (I_D)**: 0.6A
- **結構**: Trench

Domain and module applications:

應用領域和模組

**VBR9N2001K** 適用於需要高耐壓和高可靠性的應用領域。以下是一些具體的應用領域和模組示例:

1. **高電壓開關**:
- 在高電壓電源開關應用中,VBR9N2001K 可用於控制高電壓線路的開關狀態,其高漏源電壓能力使其能夠在高電壓環境下穩定工作。

2. **電源保護**:
- 在電源保護電路中,VBR9N2001K 能夠承受高達 200V 的電壓,適合用作過壓保護開關,幫助保護電路免受過電壓損害。

3. **電力轉換**:
- 在高電壓的電力轉換器中,VBR9N2001K 可以作為開關元件,幫助實現高電壓到低電壓的轉換過程,確保轉換的穩定性和安全性。

4. **工業設備**:
- 在工業控制設備中,VBR9N2001K 的高電壓耐受能力使其適用於工業電源管理和開關控制,確保設備在惡劣環境下的穩定運行。

通過以上應用,VBR9N2001K 能夠在各種高電壓、高可靠性的電子設計中提供有效的性能支持,滿足不同領域的高電壓需求。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

Technical support:

* If you have any questions about the product, please fill out the form to submit, we will reply you within 24 hours

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