MOSFET

VBR9N1219 Product details

Product introduction:

產品簡介

VBR9N1219 是一款高性能 N 型 MOSFET,封裝形式為 TO-92。其漏極-源極耐壓(VDS)為 20V,適用於低電壓應用。該 MOSFET 的柵極-源極最大電壓為 ±12V,確保了在各種工作條件下的安全性。其門檻電壓(Vth)為 0.6V,表明在低柵極電壓下也能有效導通。VBR9N1219 的導通電阻(RDS(ON))在不同的柵極電壓下分別為 25mΩ(VGS = 2.5V)、21mΩ(VGS = 4.5V)和 18mΩ(VGS = 10V),提供非常低的導通電阻和高效能。其最大連續漏極電流(ID)為 4.8A,適合中等電流應用。採用 Trench 技術,進一步提升了其開關性能和可靠性。

File download

Download PDF document
Download now

Product parameter:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO92 Single-N 20V 12V(±V) 0.6V 4.8A 25(mΩ) 21(mΩ) 18(mΩ) Trench
詳細參數說明

- **型號**: VBR9N1219
- **封裝形式**: TO-92
- **配置**: 單 N 型 MOSFET
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 20V
- **柵極-源極最大電壓 (VGS)**: ±12V
- **門檻電壓 (Vth)**: 0.6V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 25mΩ (VGS = 2.5V)
- 21mΩ (VGS = 4.5V)
- 18mΩ (VGS = 10V)
- **最大連續漏極電流 (ID)**: 4.8A
- **技術**: Trench

Domain and module applications:

應用領域和模組示例

VBR9N1219 MOSFET 的低電壓耐受能力和極低的導通電阻,使其非常適合以下領域和模組:

1. **消費電子**:
- **低功率電源管理**: 在智能手機、平板電腦和其他可攜式設備中,VBR9N1219 可以用於電源管理電路,提供高效的開關性能和低功耗。
- **LED 驅動器**: 由於其低導通電阻,VBR9N1219 是驅動LED的理想選擇,確保低功耗和長壽命。

2. **小型家電**:
- **電機驅動**: 在小型家電中,如電動牙刷、電動工具等,VBR9N1219 可用於電機驅動電路,處理中等電流應用,並提供高效能。
- **開關控制**: 適用於家用電器中的開關控制電路,如風扇、加濕器等,提供穩定的開關性能。

3. **工業自動化**:
- **感測器介面**: 在工業自動化中,VBR9N1219 可用於感測器介面電路,處理信號控制和開關操作,提供可靠的性能。
- **低功率控制系統**: 適用於低功率控制系統中的開關元件,確保系統的高效運行和穩定性。

總之,VBR9N1219 MOSFET 的低電壓耐受能力和低導通電阻使其在消費電子、小型家電以及工業自動化等領域的低功率應用中表現出色。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

Technical support:

* If you have any questions about the product, please fill out the form to submit, we will reply you within 24 hours

Sample Req

QQ

Telephone

400-655-8788

WeChat

WeChat

Topping

Sample Req
Online
Telephone
WeChat