MOSFET

VBG5638 Product details

Product introduction:

產品簡介

VBG5638 是一款集成雙極性 MOSFET,包含一個 N 溝道和一個 P 溝道 MOSFET,採用 DIP8 封裝。該器件基於先進的溝槽技術,具有良好的導通電阻和適中的電流處理能力,非常適合用於雙極性電源開關和電流控制應用。VBG5638 的設計使其在多種高效電源管理和切換應用中表現出色。

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Product parameter:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DIP8 Dual-N+P ±60V 20V(±V) ±2V 4.7/-4A 47/60(mΩ) 42/55(mΩ) Trench
詳細參數說明

- **型號**: VBG5638
- **封裝**: DIP8
- **配置**: 雙極性(N 溝道 + P 溝道)
- **漏源電壓 (VDS)**: ±60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵閾值電壓 (Vth)**: ±2V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- N 溝道: 47mΩ @ VGS = 4.5V
- P 溝道: 60mΩ @ VGS = 4.5V
- N 溝道: 42mΩ @ VGS = 10V
- P 溝道: 55mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 4.7A (N 溝道) / -4A (P 溝道)
- **技術**: Trench

Domain and module applications:

應用領域和模組示例

1. **雙極性電源開關**:VBG5638 的雙極性配置使其非常適合用於雙極性電源開關應用。它能夠同時處理正負電壓,適用於多種電源管理系統,例如模擬信號處理和音頻放大器電路。

2. **電流控制器**:由於其集成了 N 溝道和 P 溝道 MOSFET,VBG5638 適用於雙向電流控制器。它能夠在單個器件中提供高效的電流控制和開關功能,廣泛應用於電機驅動和電源管理模組。

3. **H 橋電路**:在 H 橋電路應用中,VBG5638 可以用於控制直流電機的方向和速度。其雙極性設計使其能夠在同一電路中實現正向和反向電流控制,適用於機器人和自動化控制系統。

4. **DC-DC 轉換器**:該 MOSFET 的雙極性配置使其適用於雙向 DC-DC 轉換器,能夠有效管理輸入和輸出電壓。其低導通電阻和高效的電流處理能力使其在高效電源轉換應用中表現出色。

5. **電池管理系統**:在電池管理系統中,VBG5638 的雙極性特性能夠同時處理充電和放電過程,優化電池的使用效率和壽命。特別適用於需要精確電流控制和管理的儲能系統,如電動汽車和可再生能源系統。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

Technical support:

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