中文
English
VBBD3222 Product details
Back to previous pageProduct introduction：
VBBD3222 產品簡介
**產品名稱**: VBBD3222
**封裝**: DFN8(3x2)-B
**配置**: 雙極N溝MOSFET（Dual-N）
VBBD3222是一款高性能的雙N溝MOSFET，採用DFN8(3x2)-B封裝，設計用於處理20V電壓和4.8A電流的應用。該器件採用先進的Trench技術，具有較低的導通電阻和優良的開關性能，適合各種需要雙N溝MOSFET配置的應用場景。
**產品名稱**: VBBD3222
**封裝**: DFN8(3x2)-B
**配置**: 雙極N溝MOSFET（Dual-N）
VBBD3222是一款高性能的雙N溝MOSFET，採用DFN8(3x2)-B封裝，設計用於處理20V電壓和4.8A電流的應用。該器件採用先進的Trench技術，具有較低的導通電阻和優良的開關性能，適合各種需要雙N溝MOSFET配置的應用場景。
File download
Download PDF document
Download now
-B.png)
Product parameter：
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DFN8(3X2)-B | Dual-N | 20V | 20V（±V） | 1.5V | 4.8A | 23(mΩ) | 17(mΩ) | Trench |
詳細參數說明
- **V_DS（漏源電壓）**: 20V
MOSFET漏極與源極之間能夠承受的最大電壓。
- **V_GS（柵源電壓）**: ±20V
MOSFET柵極與源極之間允許的最大電壓。
- **V_th（柵極閾值電壓）**: 1.5V
使MOSFET開始導通所需的最小柵源電壓。
- **R_DS(ON)（漏源導通電阻）**:
- 23mΩ @ V_GS = 4.5V
- 17mΩ @ V_GS = 10V
MOSFET在導通狀態下漏極與源極之間的電阻。較低的R_DS(ON)值表明更高的開關效率和更低的功率損耗。
- **I_D（連續漏極電流）**: 4.8A
MOSFET能夠承受的最大連續漏極電流。
- **技術**: Trench
採用Trench技術，提供低導通電阻和高電流處理能力。
- **V_DS（漏源電壓）**: 20V
MOSFET漏極與源極之間能夠承受的最大電壓。
- **V_GS（柵源電壓）**: ±20V
MOSFET柵極與源極之間允許的最大電壓。
- **V_th（柵極閾值電壓）**: 1.5V
使MOSFET開始導通所需的最小柵源電壓。
- **R_DS(ON)（漏源導通電阻）**:
- 23mΩ @ V_GS = 4.5V
- 17mΩ @ V_GS = 10V
MOSFET在導通狀態下漏極與源極之間的電阻。較低的R_DS(ON)值表明更高的開關效率和更低的功率損耗。
- **I_D（連續漏極電流）**: 4.8A
MOSFET能夠承受的最大連續漏極電流。
- **技術**: Trench
採用Trench技術，提供低導通電阻和高電流處理能力。
Domain and module applications：
應用領域
VBBD3222 MOSFET適用於多種需要高效開關和低導通電阻的應用場景，特別是在電源管理和可攜式設備領域：
1. **電源管理**:
- **DC-DC轉換器**: 在DC-DC轉換器中作為開關元件，提供高效電力轉換，確保低功耗和高可靠性。
- **負載開關**: 用於各種電源管理應用中，提供高效開關能力和低導通電阻。
2. **可攜式設備**:
- **電池管理系統**: 在可攜式設備的電池管理系統中，提供高效的電力管理和低功耗開關，延長設備的電池壽命。
- **智能手機和平板電腦**: 在智能手機和平板電腦中，提供高效電源開關和電流控制，確保設備的高性能和低功耗。
3. **消費電子**:
- **電源管理單元**: 在各種消費電子產品中的電源管理單元，提供高效、可靠的電源開關和電流控制。
- **充電設備**: 在充電設備中，提供高效的電力管理和低功耗操作，確保充電效率和設備安全。
4. **工業控制**:
- **控制系統**: 在工業控制系統中，提供穩定的開關性能和高效的電流處理能力，確保系統的可靠性和高效性。
- **感測器介面**: 在感測器介面中，用於高效電源開關和電流管理，確保感測器的精確性和穩定性。
VBBD3222以其低導通電阻和高電流處理能力，適合各種需要高效開關和低功耗的應用場景，確保系統的高效性和可靠性。
VBBD3222 MOSFET適用於多種需要高效開關和低導通電阻的應用場景，特別是在電源管理和可攜式設備領域：
1. **電源管理**:
- **DC-DC轉換器**: 在DC-DC轉換器中作為開關元件，提供高效電力轉換，確保低功耗和高可靠性。
- **負載開關**: 用於各種電源管理應用中，提供高效開關能力和低導通電阻。
2. **可攜式設備**:
- **電池管理系統**: 在可攜式設備的電池管理系統中，提供高效的電力管理和低功耗開關，延長設備的電池壽命。
- **智能手機和平板電腦**: 在智能手機和平板電腦中，提供高效電源開關和電流控制，確保設備的高性能和低功耗。
3. **消費電子**:
- **電源管理單元**: 在各種消費電子產品中的電源管理單元，提供高效、可靠的電源開關和電流控制。
- **充電設備**: 在充電設備中，提供高效的電力管理和低功耗操作，確保充電效率和設備安全。
4. **工業控制**:
- **控制系統**: 在工業控制系統中，提供穩定的開關性能和高效的電流處理能力，確保系統的可靠性和高效性。
- **感測器介面**: 在感測器介面中，用於高效電源開關和電流管理，確保感測器的精確性和穩定性。
VBBD3222以其低導通電阻和高電流處理能力，適合各種需要高效開關和低功耗的應用場景，確保系統的高效性和可靠性。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features
Technical support：
* If you have any questions about the product, please fill out the form to submit, we will reply you within 24 hours
