VBGC2101K Product details
Product introduction:
VBGC2101K是一款高性能雙P溝道MOSFET,採用DIP8封裝,專為低電流和高電壓應用設計。該MOSFET具有-100V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),閾值電壓為-3V。它採用先進的Trench技術,提供較低的導通電阻,在VGS為10V時的導通電阻為1000mΩ,最大漏極電流(ID)為-0.7A。VBGC2101K特別適合用於電源管理和信號控制應用,能夠在高電壓條件下保持可靠的性能和穩定性。
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Product parameter:
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp(V) | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DIP8 | Dual-P | -100V | 20V(±V) | -3V | -0.7A | 1000(mΩ) | Trench |
| 參數 | 值 | 單位 |
|--------------------|-------------------|------|
| 封裝類型 | DIP8 | |
| 配置 | 雙P溝道 | |
| 漏源電壓 (VDS) | -100 | V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±20 | V |
| 閾值電壓 (Vth) | -3 | V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 1000 (VGS=10V) | mΩ |
| 最大漏極電流 (ID) | -0.7 | A |
| 技術 | Trench | |
Domain and module applications:
1. **電源管理(Power Management)**:
VBGC2101K在電源管理應用中表現出色,特別適合用於高電壓和低電流的控制任務。其高漏源電壓(-100V)和雙P溝道配置使其能夠在複雜的電源管理電路中有效運作,確保電源系統的穩定和可靠。
2. **信號控制(Signal Control)**:
該MOSFET適用於各種信號控制應用,如模擬開關和電平轉換器。其較低的導通電阻和適中的漏極電流使其能夠在高電壓條件下有效控制信號傳輸,適合用於高精度和高穩定性的信號控制電路中。
3. **保護電路(Protection Circuits)**:
在保護電路中,VBGC2101K能夠提供可靠的過電壓和過電流保護。其高電壓和低電流特性使其能夠在保護電路中有效工作,確保敏感電子設備的安全和可靠性。
4. **逆變器(Inverters)**:
在逆變器應用中,VBGC2101K能夠處理高電壓和低電流負載,適用於需要精確控制的逆變電路。其雙P溝道配置和高電壓特性使其能夠在逆變器電路中提供高效的控制和穩定的性能。
5. **低功耗應用(Low-Power Applications)**:
VBGC2101K在低功耗應用中表現出色,適用於需要高電壓和低電流的電路設計。其低導通電阻和雙P溝道配置使其能夠在低功耗電路中提供高效和穩定的性能,適合用於便攜設備和電池供電的電子產品中。
VBGC2101K憑藉其高電壓和低電流處理能力以及較低的導通電阻,適用於各種需要高效和穩定性能的應用,為電源管理、信號控制和保護電路提供了可靠的解決方案。
Technical support:
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