VBR9N602K Product details
Product introduction:
VBR9N602K 是一款低電壓 N 型 MOSFET,封裝形式為 TO-92。它的漏極-源極耐壓(VDS)為 60V,適用於中低電壓應用。其柵極-源極最大電壓為 ±20V,確保了操作中的安全性和穩定性。該 MOSFET 的門檻電壓(Vth)為 0.8V,在柵極電壓為 4.5V 和 10V 時,其導通電阻(RDS(ON))分別為 2400mΩ 和 2000mΩ,提供低損耗和高效率的特性。最大連續漏極電流(ID)為 0.45A,適合低電流應用。採用了 Trench 技術,進一步增強了其性能和可靠性。
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Product parameter:
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp(V) | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO92 | Single-N | 60V | 20V(±V) | 0.8V | 0.45A | 2400(mΩ) | 2000(mΩ) | Trench |
- **型號**: VBR9N602K
- **封裝形式**: TO-92
- **配置**: 單 N 型 MOSFET
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 60V
- **柵極-源極最大電壓 (VGS)**: ±20V
- **門檻電壓 (Vth)**: 0.8V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 2400mΩ (VGS = 4.5V)
- 2000mΩ (VGS = 10V)
- **最大連續漏極電流 (ID)**: 0.45A
- **技術**: Trench
Domain and module applications:
VBR9N602K MOSFET 由於其中低電壓耐受能力和適中的導通電阻,適用於以下領域和模組:
1. **消費電子**:
- **小型電源管理模組**: 在消費電子中,如可攜式設備、遙控器和玩具中,VBR9N602K 可用於低功率電源管理模組,提供高效的開關性能和低功耗。
- **低電流驅動電路**: 適用於需要控制小電流的驅動電路,如LED驅動器和低功率感測器。
2. **家用電器**:
- **小型家電控制電路**: 在小型家用電器如電動剃鬚刀、手持吸塵器等中,VBR9N602K 可用作開關元件,提供穩定的開關性能和高效能。
- **電池管理系統**: 適用於家用電池管理系統中的開關元件,確保電池的高效充放電。
3. **工業自動化**:
- **信號控制電路**: 在工業自動化中,VBR9N602K 可用於低功率信號控制電路中,提供可靠的開關操作和長壽命。
- **小型驅動電路**: 適用於驅動低功率的工業感測器和執行器,提高系統的可靠性和穩定性。
總之,VBR9N602K MOSFET 的中低電壓耐受性和適中的導通電阻,使其在消費電子、小型家用電器和工業自動化等領域的低功率應用中表現出色。
Technical support:
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