VBGC2610N Product details
Product introduction:
**VBGC2610N** 是一款單P溝道功率MOSFET,採用 Trench 技術製造,封裝形式為 DIP8。這款 MOSFET 具有中等電壓和電流能力,適用於各種需要高效開關和放大功能的電子設備。其低導通電阻和優異的電氣性能使其成為各種應用場景中的可靠選擇。
File download
Download PDF document
Download now
Product parameter:
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp(V) | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DIP8 | Single-P | -60V | 20V(±V) | -2V | -3A | 100(mΩ) | Trench |
- **封裝(Package):** DIP8
- **配置(Configuration):** 單P溝道
- **最大漏源電壓(VDS):** -60V
- **最大柵源電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** -2V
- **導通電阻(RDS(on)):** 100mΩ @ VGS = 10V
- **最大連續漏極電流(ID):** -3A
- **技術(Technology):** Trench
Domain and module applications:
**VBGC2610N** 的特性使其適用於多個領域和模組,包括:
1. **電源管理:**
VBGC2610N 非常適合用於電源管理模組,特別是在負電壓電源應用中。其P溝道特性使其能夠在負電壓條件下高效地進行電源轉換和調節,確保設備在各種操作條件下的穩定運行。
2. **開關電源(SMPS):**
在開關模式電源中,VBGC2610N 可以用作開關元件,幫助實現高效的能量轉換。其低導通電阻和中等電流能力(-3A)能夠有效降低開關損耗,提高電源的整體效率。
3. **電池管理系統(BMS):**
在電池管理系統中,該MOSFET 能夠控制電池的放電過程,確保電池在安全範圍內工作。其高耐壓(-60V)和低導通電阻(100mΩ @ VGS = 10V)使其成為電池管理應用中的理想選擇。
4. **負載開關:**
VBGC2610N 適用於各種負載開關應用,例如消費電子和工業設備中的負載控制。其P溝道特性和優異的開關性能使其能夠高效地控制電流流動,確保設備的可靠性和穩定性。
5. **消費電子:**
在消費電子產品如智能手機、平板電腦和可攜式設備中,VBGC2610N 可用於電源管理和負載開關,幫助優化電源分配和電流控制,提高設備的能效和使用壽命。
綜上所述,VBGC2610N 是一款高性能的P溝道 MOSFET,適用於電源管理、開關電源、電池管理、負載開關和消費電子等多個領域。其優異的電氣性能和可靠性使其成為各種應用場景中的理想選擇。
Technical support:
* If you have any questions about the product, please fill out the form to submit, we will reply you within 24 hours
中文
English
Back to previous page
Click for larger image