MOSFET

VBGC1201K Product details

Product introduction:

產品簡介

**VBGC1201K** 是一款採用 Trench 技術的單極 N 通道 MOSFET,封裝形式為 DIP8。該 MOSFET 設計用於高電壓應用,能夠承受高達 200V 的漏極-源極電壓。雖然其電流承載能力較低(0.6A),但它在高電壓條件下能夠穩定工作,適用於需要高電壓處理能力但電流較小的應用場景。

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Product parameter:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DIP8 Single-N 200V 20V(±V) 2V 0.6A 1200(mΩ) 1000(mΩ) Trench
詳細參數說明

- **封裝**:DIP8
- **配置**:單極 N 通道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**:200V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**:±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:2V
- **導通電阻 (RDS(on))**:
- 1200mΩ @ VGS = 4.5V
- 1000mΩ @ VGS = 10V
- **最大連續漏極電流 (ID)**:0.6A
- **技術**:Trench 技術

Domain and module applications:

適用領域與模組舉例

**VBGC1201K** 的設計特點使其適用於多個特定應用領域,包括:

1. **高電壓開關**:該 MOSFET 的 200V 最大漏極-源極電壓使其特別適用於需要高電壓處理的開關應用。它可以用作高電壓保護電路的開關元件,例如高電壓電源的保護開關,以確保系統在異常情況下的安全性。

2. **小功率電源管理**:在高電壓但低電流的電源管理系統中,例如低功率電源模組和線性穩壓器,這款 MOSFET 能夠提供適當的開關功能。雖然其導通電阻較高,但在電流較小的應用中依然能夠有效工作。

3. **信號開關**:在高電壓信號處理應用中,如高壓測試設備和信號切換電路,VBGC1201K 能夠穩定地開關高電壓信號,適應高電壓環境中的需求。

4. **工業控制**:在某些工業控制應用中,如高電壓感測器介面或電壓保護電路,該 MOSFET 的高電壓能力能夠提供可靠的控制和保護,確保工業設備的安全和可靠運行。

5. **汽車電子**:雖然其電流能力有限,但其高電壓處理能力使其適合用於汽車電子系統中的高電壓保護電路,確保汽車電氣系統在高電壓情況下的穩定性和安全性。

總結來說,VBGC1201K 是一款具備高電壓承受能力和較高導通電阻的 MOSFET,適合於高電壓開關和小功率電源管理應用。它特別適用於需要在高電壓條件下工作的場景。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

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