VBGC1101M Product details
Product introduction:
**VBGC1101M** 是一款採用 Trench 技術的單極 N 通道 MOSFET,封裝形式為 DIP8。該 MOSFET 設計用於中等功率和電流開關應用,具有較高的導通電阻和中等電流承載能力,適用於需要高電壓處理能力和可靠性的電子設備和電力管理系統。
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Product parameter:
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp(V) | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DIP8 | Single-N | 100V | 20V(±V) | 2V | 3A | 120(mΩ) | 100(mΩ) | Trench |
- **封裝**:DIP8
- **配置**:單極 N 通道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**:100V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**:±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:2V
- **導通電阻 (RDS(on))**:
- 120mΩ @ VGS = 4.5V
- 100mΩ @ VGS = 10V
- **最大連續漏極電流 (ID)**:3A
- **技術**:Trench 技術
Domain and module applications:
**VBGC1101M** 的特點使其適用於多個中等功率和高效能的應用領域,包括:
1. **電源管理**:由於其中等的導通電阻和電流能力,該 MOSFET 適用於中等功率電源管理系統,如線性電源和低功率 DC-DC 轉換器。它能夠處理適中的電流開關需求,提供穩定的電源轉換和能量效率。
2. **工業自動化**:在工業自動化設備中,如控制器和驅動器,該 MOSFET 能夠處理中等電壓和電流的開關操作,確保系統的可靠性和穩定性,適用於中等功率負載的控制和驅動。
3. **消費電子**:在消費電子產品中,如家庭電器和音頻設備,這款 MOSFET 可用於電源管理和開關電路,提供穩定的電流控制和高效的電源轉換。
4. **測試與測量設備**:在測試與測量設備中,該 MOSFET 適用於電源開關和信號控制,提供可靠的電流開關性能和高效的電源控制,確保測量設備的精確性和穩定性。
5. **汽車電子**:在汽車電子系統中,如小功率電機驅動和電池管理模組,該 MOSFET 能夠處理中等電流和電壓的開關操作,提供高效的電源管理和可靠的電流控制,確保汽車電子系統的高效和可靠。
總結來說,VBGC1101M 是一款具有中等電流承載能力和較高導通電阻的 MOSFET,適用於各種中等功率電源管理和開關應用,特別是在需要高電壓處理能力和可靠性的系統中表現優異。
Technical support:
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