MOSFET

VBGC1101M Product details

Product introduction:

產品簡介

**VBGC1101M** 是一款採用 Trench 技術的單極 N 通道 MOSFET,封裝形式為 DIP8。該 MOSFET 設計用於中等功率和電流開關應用,具有較高的導通電阻和中等電流承載能力,適用於需要高電壓處理能力和可靠性的電子設備和電力管理系統。

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Product parameter:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DIP8 Single-N 100V 20V(±V) 2V 3A 120(mΩ) 100(mΩ) Trench
詳細參數說明

- **封裝**:DIP8
- **配置**:單極 N 通道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**:100V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**:±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:2V
- **導通電阻 (RDS(on))**:
- 120mΩ @ VGS = 4.5V
- 100mΩ @ VGS = 10V
- **最大連續漏極電流 (ID)**:3A
- **技術**:Trench 技術

Domain and module applications:

適用領域與模組舉例

**VBGC1101M** 的特點使其適用於多個中等功率和高效能的應用領域,包括:

1. **電源管理**:由於其中等的導通電阻和電流能力,該 MOSFET 適用於中等功率電源管理系統,如線性電源和低功率 DC-DC 轉換器。它能夠處理適中的電流開關需求,提供穩定的電源轉換和能量效率。

2. **工業自動化**:在工業自動化設備中,如控制器和驅動器,該 MOSFET 能夠處理中等電壓和電流的開關操作,確保系統的可靠性和穩定性,適用於中等功率負載的控制和驅動。

3. **消費電子**:在消費電子產品中,如家庭電器和音頻設備,這款 MOSFET 可用於電源管理和開關電路,提供穩定的電流控制和高效的電源轉換。

4. **測試與測量設備**:在測試與測量設備中,該 MOSFET 適用於電源開關和信號控制,提供可靠的電流開關性能和高效的電源控制,確保測量設備的精確性和穩定性。

5. **汽車電子**:在汽車電子系統中,如小功率電機驅動和電池管理模組,該 MOSFET 能夠處理中等電流和電壓的開關操作,提供高效的電源管理和可靠的電流控制,確保汽車電子系統的高效和可靠。

總結來說,VBGC1101M 是一款具有中等電流承載能力和較高導通電阻的 MOSFET,適用於各種中等功率電源管理和開關應用,特別是在需要高電壓處理能力和可靠性的系統中表現優異。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

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