MOSFET

VBE25R04 Product details

Product introduction:

產品簡介

VBE25R04 是一款高耐壓單 P 溝道 MOSFET,採用 TO252 封裝。該器件基於平面技術,設計用於承受高達 -500V 的漏源電壓,適合在高壓環境下操作。VBE25R04 的高耐壓和適中的導通電阻,使其在需要高電壓和高可靠性的應用中表現優異,尤其適合用於高壓開關和功率管理的場合。

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Product parameter:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO252 Single-P -500V 20V(±V) -3V -2A 4875(mΩ) 3900(mΩ) Plannar
詳細參數說明

- **型號**: VBE25R04
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單 P 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: -500V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵閾值電壓 (Vth)**: -3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 4875mΩ @ VGS = 4.5V
- 3900mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: -2A
- **技術**: Plannar

Domain and module applications:

應用領域和模組示例

1. **高壓開關電源**:VBE25R04 的高耐壓特性使其非常適合用於高壓開關電源應用。它能夠在高達 -500V 的電壓下穩定工作,適合用於高壓電源的開關和功率管理。

2. **功率管理系統**:由於其能夠承受高電壓且具有較低的導通電阻,VBE25R04 適用於各種功率管理系統,如電力轉換器和高壓功率開關,確保系統在高壓環境下的高效穩定運行。

3. **電力逆變器**:在電力逆變器應用中,VBE25R04 可以處理高電壓並保證電路的穩定性,特別適合用於光伏逆變器和風能發電系統中的高壓開關部分。

4. **電機控制**:該 MOSFET 的高耐壓和適中的導通電阻使其適合用於電機控制模組,特別是在需要高電壓和可靠性的電機驅動系統中,能夠有效控制電機的開關操作。

5. **高壓保護電路**:VBE25R04 的高耐壓特性使其適用於高壓保護電路,如電源保護電路和過壓保護設備,能夠有效保護其他電路組件免受高壓損害。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

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