中文
English
VBBD5222 Product details
Back to previous pageProduct introduction：
VBBD5222 產品簡介
**產品名稱**: VBBD5222
**封裝**: DFN8(3x2)-B
**配置**: 雙極N溝和P溝MOSFET（Dual-N+P）
VBBD5222是一款雙極N溝和P溝MOSFET組合器件，採用DFN8(3x2)-B封裝，設計用於±20V的電壓範圍和±8V的柵源電壓。該器件採用Trench技術，具有較低的導通電阻和優良的開關性能，適用於各種需要雙MOSFET配置的應用。
**產品名稱**: VBBD5222
**封裝**: DFN8(3x2)-B
**配置**: 雙極N溝和P溝MOSFET（Dual-N+P）
VBBD5222是一款雙極N溝和P溝MOSFET組合器件，採用DFN8(3x2)-B封裝，設計用於±20V的電壓範圍和±8V的柵源電壓。該器件採用Trench技術，具有較低的導通電阻和優良的開關性能，適用於各種需要雙MOSFET配置的應用。
File download
Download PDF document
Download now
-B.png)
Product parameter：
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DFN8(3X2)-B | Dual-N+P | ±20V | 8V（±V） | 0.8/-0.8V | 5.9/-4.1A | 36/97(mΩ) | 32/69(mΩ) | Trench |
詳細參數說明
- **V_DS（漏源電壓）**: ±20V
MOSFET漏極與源極之間能夠承受的最大電壓，正負電壓範圍。
- **V_GS（柵源電壓）**: ±8V
MOSFET柵極與源極之間允許的最大電壓。
- **V_th（柵極閾值電壓）**:
- N溝：0.8V
- P溝：-0.8V
使MOSFET開始導通所需的最小柵源電壓。N溝和P溝MOSFET具有不同的閾值電壓。
- **R_DS(ON)（漏源導通電阻）**:
- N溝：
- 36mΩ @ V_GS = 4.5V
- 32mΩ @ V_GS = 10V
- P溝：
- 97mΩ @ V_GS = 4.5V
- 69mΩ @ V_GS = 10V
MOSFET在導通狀態下漏極與源極之間的電阻。較低的R_DS(ON)值表明更高的開關效率和更低的功率損耗。
- **I_D（連續漏極電流）**:
- N溝：5.9A
- P溝：-4.1A
MOSFET能夠承受的最大連續漏極電流，N溝和P溝MOSFET的電流處理能力不同。
- **技術**: Trench
採用Trench技術，提供低導通電阻和良好的電流處理能力。
- **V_DS（漏源電壓）**: ±20V
MOSFET漏極與源極之間能夠承受的最大電壓，正負電壓範圍。
- **V_GS（柵源電壓）**: ±8V
MOSFET柵極與源極之間允許的最大電壓。
- **V_th（柵極閾值電壓）**:
- N溝：0.8V
- P溝：-0.8V
使MOSFET開始導通所需的最小柵源電壓。N溝和P溝MOSFET具有不同的閾值電壓。
- **R_DS(ON)（漏源導通電阻）**:
- N溝：
- 36mΩ @ V_GS = 4.5V
- 32mΩ @ V_GS = 10V
- P溝：
- 97mΩ @ V_GS = 4.5V
- 69mΩ @ V_GS = 10V
MOSFET在導通狀態下漏極與源極之間的電阻。較低的R_DS(ON)值表明更高的開關效率和更低的功率損耗。
- **I_D（連續漏極電流）**:
- N溝：5.9A
- P溝：-4.1A
MOSFET能夠承受的最大連續漏極電流，N溝和P溝MOSFET的電流處理能力不同。
- **技術**: Trench
採用Trench技術，提供低導通電阻和良好的電流處理能力。
Domain and module applications：
應用領域
VBBD5222 MOSFET適用於需要雙MOSFET配置的多種應用場景，特別是在需要正負電壓操作和高效開關性能的環境中：
1. **電源管理**:
- **DC-DC轉換器**: 作為開關元件，適用於DC-DC轉換器中的高效電力轉換，特別是在需要正負電壓轉換的應用中。
- **電源開關**: 用於各種電源管理應用中，尤其是在正負電壓輸入的情況下，如雙極電源系統。
2. **電機控制**:
- **H橋電路**: 在電機驅動的H橋電路中，提供正負電流處理能力，實現電動機的正反轉控制。
- **步進電機驅動**: 在步進電機驅動系統中，支持精確的電流控制和方向控制。
3. **汽車應用**:
- **電源分配**: 在汽車電源分配系統中處理正負電壓負載，確保電力系統的可靠性和高效性。
- **電池管理系統（BMS）**: 在電動汽車和混合動力汽車中處理雙極電壓的電池管理應用，提升系統性能和安全性。
4. **消費電子**:
- **電源管理模組**: 在各種消費電子產品中的電源管理模組，提供高效、可靠的開關和電流控制。
- **電池供電設備**: 在使用正負電壓的可攜式設備中，提供雙MOSFET配置以支持複雜的電源需求。
VBBD5222以其雙MOSFET配置和低導通電阻，適合各種需要正負電壓操作和高效開關的應用場景，確保系統的高效性和可靠性。
VBBD5222 MOSFET適用於需要雙MOSFET配置的多種應用場景，特別是在需要正負電壓操作和高效開關性能的環境中：
1. **電源管理**:
- **DC-DC轉換器**: 作為開關元件，適用於DC-DC轉換器中的高效電力轉換，特別是在需要正負電壓轉換的應用中。
- **電源開關**: 用於各種電源管理應用中，尤其是在正負電壓輸入的情況下，如雙極電源系統。
2. **電機控制**:
- **H橋電路**: 在電機驅動的H橋電路中，提供正負電流處理能力，實現電動機的正反轉控制。
- **步進電機驅動**: 在步進電機驅動系統中，支持精確的電流控制和方向控制。
3. **汽車應用**:
- **電源分配**: 在汽車電源分配系統中處理正負電壓負載，確保電力系統的可靠性和高效性。
- **電池管理系統（BMS）**: 在電動汽車和混合動力汽車中處理雙極電壓的電池管理應用，提升系統性能和安全性。
4. **消費電子**:
- **電源管理模組**: 在各種消費電子產品中的電源管理模組，提供高效、可靠的開關和電流控制。
- **電池供電設備**: 在使用正負電壓的可攜式設備中，提供雙MOSFET配置以支持複雜的電源需求。
VBBD5222以其雙MOSFET配置和低導通電阻，適合各種需要正負電壓操作和高效開關的應用場景，確保系統的高效性和可靠性。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features
Technical support：
* If you have any questions about the product, please fill out the form to submit, we will reply you within 24 hours
