VBN1402 Product details
Product introduction:
VBN1402 是一款高性能單 N 溝道 MOSFET,封裝形式為 TO-262。該 MOSFET 採用先進的 Trench 技術,具有 40V 的漏源電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵源電壓 (VGS) 規格。VBN1402 的閾值電壓 (Vth) 為 3.3V,在 10V 的柵源電壓下,其導通電阻極低,為 1.7mΩ,支持高達 150A 的連續漏極電流 (ID)。這使得 VBN1402 特別適合用於需要高電流處理能力和低導通損耗的高性能開關應用。
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Product parameter:
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp(V) | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO262 | Single-N | 40V | 20V(±V) | 3.3V | 150A | 1.7(mΩ) | Trench |
| 參數 | 值 | 單位 |
|------------------------|--------------------------|--------|
| 產品型號 | VBN1402 | |
| 封裝 | TO-262 | |
| 配置 | 單 N 溝道 | |
| 漏源電壓 (VDS) | 40 | V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±20 | V |
| 閾值電壓 (Vth) | 3.3 | V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 1.7 (VGS = 10V) | mΩ |
| 連續漏極電流 (ID) | 150 | A |
| 暫態脈衝漏極電流 (ID(pulse)) | 400 | A |
| 最大功耗 (Ptot) | 250 | W |
| 工作溫度範圍 | -55 至 +175 | °C |
| 存儲溫度範圍 | -55 至 +175 | °C |
| 技術 | Trench | |
Domain and module applications:
VBN1402 的高電流和低導通電阻特性使其在多個領域和應用中表現出色,特別適合用於高電流處理的高效開關應用。以下是幾個具體的應用示例:
1. **電源管理**:在高電流電源管理系統中,如 DC-DC 轉換器和電源分配系統,VBN1402 能夠高效地處理高電流負載。其低導通電阻和高電流能力有助於提高電源轉換效率,減少功率損耗,適用於需要高電流和低損耗的電源設計。
2. **電動機驅動**:VBN1402 的高電流處理能力使其非常適合用於高功率電動機驅動系統,例如電動汽車和工業電動機驅動。它能夠有效地控制電動機的啟動和運行,提供可靠的高電流處理和高效能控制。
3. **功率轉換系統**:在功率轉換器和逆變器中,VBN1402 能夠處理高電流負載,適用於太陽能逆變器和不間斷電源 (UPS) 等應用。其低導通電阻和高電流能力確保了系統的穩定性和高效性。
4. **電池管理系統**:在電池管理系統 (BMS) 中,VBN1402 可以用於電池的開關和保護功能。其高電流能力和低導通電阻使其在電池保護和電池切換中表現優越,特別適用於電動汽車和大型電池組的管理。
這些應用示例展示了 VBN1402 在需要高電流處理能力和低導通損耗的場景中的關鍵作用,特別是在電源管理、電動機驅動和功率轉換系統中。
Technical support:
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