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VBR165R01 Product details
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一、VBR165R01 產品簡介
VBR165R01 是一款高耐壓單N溝道功率MOSFET，採用TO-92封裝。該MOSFET基於平面（Plannar）技術，設計用於高電壓應用，具有650V的漏源極耐壓。儘管其導通電阻較高，但其高電壓能力使其非常適合在要求高電壓耐受性的應用中使用，如電源保護和高電壓開關。
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Product parameter：
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO92 | Single-N | 650V | 20V（±V） | 2V | 1A | 6667(mΩ) | Plannar |
二、VBR165R01 詳細參數說明
1. **封裝類型**：TO-92
2. **配置**：單N溝道
3. **漏源極電壓 (VDS)**：650V
4. **柵源極電壓 (VGS)**：±20V
5. **閾值電壓 (Vth)**：2V
6. **導通電阻 (RDS(ON))**：
- 6667mΩ @ VGS=10V
7. **漏極電流 (ID)**：1A
8. **技術類型**：Plannar
Domain and module applications：
三、應用領域和模組舉例
**應用領域**：
1. **高電壓保護**：VBR165R01 具有650V的漏源極耐壓，適用於高電壓保護應用。在高電壓電源或設備中，它可以作為保護元件，防止過電壓對電路的損害，確保系統的安全運行。
2. **高電壓開關**：儘管導通電阻較高，但VBR165R01 適用於一些高電壓開關應用，特別是那些需要高耐壓但電流要求不高的場景。這使其適合用於開關電源或高電壓控制系統中。
3. **工業設備**：在工業設備中，該MOSFET 可以用於高電壓控制和開關應用，其高耐壓能力可以在電力控制系統中提供可靠的性能，適用於高電壓環境下的工業設備。
**模組舉例**：
1. **高電壓保護模組**：VBR165R01 可以集成在高電壓保護模組中，用於保護高電壓電源系統免受過電壓衝擊。適用於高壓電源保護、變電站設備和其他需要高電壓保護的應用場合。
2. **高電壓開關模組**：該MOSFET 可以作為開關元件應用於高電壓開關模組中，適合於處理高電壓負載但對電流要求較低的場景。
3. **工業控制模組**：VBR165R01 也適用於高電壓工業控制系統中的開關和控制功能，提供高電壓耐受和穩定的開關性能，用於電力管理和控制系統。
總之，VBR165R01 由於其高耐壓和穩定的性能，適用於高電壓保護、高電壓開關和工業控制等領域，為這些應用提供了可靠的解決方案。
Technical support：
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