中文
English
VBBD8338 Product details
Back to previous pageProduct introduction：
VBBD8338 MOSFET 產品簡介
**VBBD8338** 是一款高性能單極 P 通道 MOSFET，採用 Trench 技術，封裝形式為 DFN8 (3x2)-B。該 MOSFET 設計用於低電壓應用，提供低導通電阻和較高的電流處理能力，適用於需要高效能和高可靠性的電子系統。其高開關速度和低功耗特性使其在多種應用中表現優異。
**VBBD8338** 是一款高性能單極 P 通道 MOSFET，採用 Trench 技術，封裝形式為 DFN8 (3x2)-B。該 MOSFET 設計用於低電壓應用，提供低導通電阻和較高的電流處理能力，適用於需要高效能和高可靠性的電子系統。其高開關速度和低功耗特性使其在多種應用中表現優異。
File download
Download PDF document
Download now
-B.png)
Product parameter：
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DFN8(3X2)-B | Single-P | -30V | 20V（±V） | -1.5V | -5.1A | 42(mΩ) | 30(mΩ) | Trench |
詳細參數說明
- **封裝**: DFN8 (3x2)-B
- **配置**: 單極 P 通道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**: -30V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: -1.5V
- **導通電阻 (RDS(on))**:
- 42mΩ @ VGS = 4.5V
- 30mΩ @ VGS = 10V
- **最大連續漏極電流 (ID)**: -5.1A
- **技術**: Trench 技術
- **封裝**: DFN8 (3x2)-B
- **配置**: 單極 P 通道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**: -30V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: -1.5V
- **導通電阻 (RDS(on))**:
- 42mΩ @ VGS = 4.5V
- 30mΩ @ VGS = 10V
- **最大連續漏極電流 (ID)**: -5.1A
- **技術**: Trench 技術
Domain and module applications：
適用領域與模組舉例
**VBBD8338** 主要適用於以下領域和模組：
1. **電源管理**：由於其低導通電阻（30mΩ @ VGS = 10V）和較高電流能力（-5.1A），VBBD8338 適合用於電源管理系統，如 DC-DC 轉換器和電源供應模組。其高效的開關特性能夠降低功耗並提高系統效率。
2. **負載開關**：在負載開關應用中，該 MOSFET 的低導通電阻和較高電流能力使其成為控制低電壓負載的理想選擇。它可以用於各種開關應用，如電池開關和負載保護開關，確保系統的可靠性和穩定性。
3. **汽車電子**：在汽車電子系統中，例如電源分配和負載控制，該 MOSFET 可以用於開關電路和負載管理。其高開關速度和低功耗特性使其適合用於汽車電子產品中的電源管理和開關控制應用。
4. **消費電子**：在消費電子產品如智能手機和筆記本電腦中，VBBD8338 可以用於電源管理模組和開關電路。其高效的開關性能能夠提升產品的能效和穩定性，特別是在需要低電壓和高性能開關的應用中表現出色。
總結來說，VBBD8338 MOSFET 的 DFN8 (3x2)-B 封裝、低導通電阻和較高電流承載能力使其在電源管理、負載開關、汽車電子和消費電子應用中表現優異。其 Trench 技術確保在各種低電壓和高效能應用中提供可靠的性能。
**VBBD8338** 主要適用於以下領域和模組：
1. **電源管理**：由於其低導通電阻（30mΩ @ VGS = 10V）和較高電流能力（-5.1A），VBBD8338 適合用於電源管理系統，如 DC-DC 轉換器和電源供應模組。其高效的開關特性能夠降低功耗並提高系統效率。
2. **負載開關**：在負載開關應用中，該 MOSFET 的低導通電阻和較高電流能力使其成為控制低電壓負載的理想選擇。它可以用於各種開關應用，如電池開關和負載保護開關，確保系統的可靠性和穩定性。
3. **汽車電子**：在汽車電子系統中，例如電源分配和負載控制，該 MOSFET 可以用於開關電路和負載管理。其高開關速度和低功耗特性使其適合用於汽車電子產品中的電源管理和開關控制應用。
4. **消費電子**：在消費電子產品如智能手機和筆記本電腦中，VBBD8338 可以用於電源管理模組和開關電路。其高效的開關性能能夠提升產品的能效和穩定性，特別是在需要低電壓和高性能開關的應用中表現出色。
總結來說，VBBD8338 MOSFET 的 DFN8 (3x2)-B 封裝、低導通電阻和較高電流承載能力使其在電源管理、負載開關、汽車電子和消費電子應用中表現優異。其 Trench 技術確保在各種低電壓和高效能應用中提供可靠的性能。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features
Technical support：
* If you have any questions about the product, please fill out the form to submit, we will reply you within 24 hours
