VBED1101N Product details
Product introduction:
**產品名稱**: VBED1101N
**封裝**: SOT-669
**配置**: 單極N溝MOSFET
VBED1101N是一款高性能的N溝MOSFET,設計用於處理100V的高電壓和69A的高電流應用。該MOSFET採用SOT-669封裝和先進的Trench技術,具有極低的導通電阻和優秀的開關性能,適用於需要高效能和高可靠性的電子電路。
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Product parameter:
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp(V) | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SOT669 | Single-N | 100V | 20V(±V) | 1.4V | 69A | 13.92(mΩ) | 11.6(mΩ) | Trench |
- **V_DS(漏源電壓)**: 100V
MOSFET漏極與源極之間能夠承受的最大電壓。
- **V_GS(柵源電壓)**: ±20V
MOSFET柵極與源極之間允許的最大電壓。
- **V_th(柵極閾值電壓)**: 1.4V
使MOSFET開始導通所需的最小柵源電壓。
- **R_DS(ON)(漏源導通電阻)**:
- 13.92mΩ @ V_GS = 4.5V
- 11.6mΩ @ V_GS = 10V
MOSFET在導通狀態下漏極與源極之間的電阻。較低的R_DS(ON)值表明更高的開關效率和更低的功率損耗。
- **I_D(連續漏極電流)**: 69A
MOSFET能夠承受的最大連續漏極電流。
- **技術**: Trench
採用Trench技術,提供低導通電阻和高電流處理能力。
Domain and module applications:
VBED1101N MOSFET適用於多種高電壓和高電流的應用場景:
1. **電源管理**:
- **高電流電源開關**: 適用於高電流開關應用,如高效開關電源(SMPS),其低R_DS(ON)值可以顯著減少功率損耗,提高系統效率。
- **DC-DC轉換器**: 在DC-DC轉換器中提供高效的電力轉換和調節,特別適用於處理高電流的應用場合。
2. **電機控制**:
- **電動機驅動**: 在電動機驅動系統中,如工業電機驅動或電動汽車(EV)電機控制,能夠處理高達69A的電流,提供高效、可靠的開關性能。
- **伺服電機控制**: 在伺服電機控制系統中,如機器人和自動化設備,確保穩定的高電流控制。
3. **汽車應用**:
- **電力分配系統**: 在汽車電力分配系統中處理高電流負載,確保電力系統的可靠性和高效性。
- **電池管理系統(BMS)**: 在電動汽車和混合動力汽車中,提升電池管理系統的性能,優化高電流處理能力。
4. **消費電子**:
- **電源供應單元(PSU)**: 適用於高功率消費電子產品中的電源供應單元,如高性能電腦和音響系統,提供高效的電源管理。
- **充電解決方案**: 在高電流充電應用中,如快速充電系統和高功率充電器,確保高效、可靠的充電過程。
VBED1101N以其低導通電阻和高電流處理能力,適合各種高電壓和高電流的應用需求,確保系統的高效性和可靠性。
Technical support:
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