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VBBD4290 Product details
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一、VBBD4290 產品簡介
VBBD4290 是一款高性能雙 P 溝道 MOSFET，採用 DFN8(3x2)-B 封裝。該 MOSFET 設計用於高效的開關應用，具有 -20V 的漏源電壓 (VDS) 和 ±8V 的柵源電壓 (VGS) 規格。VBBD4290 採用先進的 Trench 技術，閾值電壓 (Vth) 為 -0.8V。在 4.5V 的柵源電壓下，其導通電阻為 100mΩ，而在 10V 的柵源電壓下，導通電阻降低至 83mΩ。該 MOSFET 支持高達 -4A 的連續漏極電流 (ID)，特別適合於需要高效開關和低導通損耗的應用場景。
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Product parameter：
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DFN8(3X2)-B | Dual-P+P | -20V | 8V（±V） | -0.8V | -4A | 100(mΩ) | 83(mΩ) | Trench |
二、VBBD4290 詳細參數說明
| 參數 | 值 | 單位 |
|------------------------|--------------------------|--------|
| 產品型號 | VBBD4290 | |
| 封裝 | DFN8(3x2)-B | |
| 配置 | 雙 P 溝道 | |
| 漏源電壓 (VDS) | -20 | V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±8 | V |
| 閾值電壓 (Vth) | -0.8 | V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 100 (VGS = 4.5V) | mΩ |
| | 83 (VGS = 10V) | mΩ |
| 連續漏極電流 (ID) | -4 | A |
| 暫態脈衝漏極電流 (ID(pulse)) | -16 | A |
| 最大功耗 (Ptot) | 2.5 | W |
| 工作溫度範圍 | -55 至 +150 | °C |
| 存儲溫度範圍 | -55 至 +150 | °C |
| 技術 | Trench | |
Domain and module applications：
三、應用領域和模組示例
VBBD4290 的設計使其在多個領域和應用中表現出色，特別是在需要高效開關和低導通電阻的應用中。以下是幾個具體的應用示例：
1. **電源管理**：在低電壓開關電源和 DC-DC 轉換器中，VBBD4290 能夠作為高效的開關元件。其低導通電阻和適中的電流處理能力使其非常適合用於提高電源轉換效率和減小功率損耗。
2. **可攜式設備**：由於其小巧的 DFN8(3x2)-B 封裝，VBBD4290 非常適合用於可攜式電子設備中的開關應用。例如，智能手機、平板電腦和可攜式充電器中的電源管理模組，可以利用該 MOSFET 的高效能和小體積優勢。
3. **低功耗電動機驅動**：在一些低功耗電動機驅動系統中，VBBD4290 可以提供穩定的開關性能，適用於小型電動工具和家用電器的電機控制，保證電動機的平穩運行和高效能。
4. **電池管理系統**：在電池管理系統 (BMS) 中，VBBD4290 能夠提供電池的開關和保護功能。其低導通電阻和高開關效率有助於提高電池系統的整體性能和壽命，特別是在移動設備和電動車輛的電池管理中。
這些應用示例展示了 VBBD4290 在需要高效開關和低導通損耗的場景中的關鍵作用，特別是在可攜式電子設備和低功耗電動機驅動系統中。
Technical support：
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