MOSFET

VBM115MR03 Product details

Product introduction:

一、VBM115MR03 產品簡介

VBM115MR03 是一款高耐壓單N溝道功率MOSFET,封裝形式為TO-220。該MOSFET採用平面(Plannar)技術,旨在提供高電壓耐受能力和穩健的開關性能。其1500V的漏源極耐壓使其適合用於高電壓應用。儘管其導通電阻較高,但在需要高電壓保護和穩定性能的場合,它依然是一個可靠的選擇。
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Product parameter:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 1500V 30V(±V) 4.5V 3A 6000(mΩ) Plannar
二、VBM115MR03 詳細參數說明

1. **封裝類型**:TO-220
2. **配置**:單N溝道
3. **漏源極電壓 (VDS)**:1500V
4. **柵源極電壓 (VGS)**:±30V
5. **閾值電壓 (Vth)**:4.5V
6. **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 6000mΩ @ VGS=10V
7. **漏極電流 (ID)**:3A
8. **技術類型**:Plannar
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Domain and module applications:

三、應用領域和模組舉例

**應用領域**:

1. **高電壓保護**:由於VBM115MR03具有高達1500V的漏源極耐壓,它非常適合用於高電壓保護應用。在高電壓電源和設備中,它可以作為保護元件,防止過電壓對電路的損害。

2. **開關電源**:儘管該MOSFET的導通電阻較高,但其高耐壓特性使其適用於一些特殊的開關電源應用,尤其是那些要求高電壓耐受但對導通電阻要求不高的場合。

3. **工業設備**:在工業設備中,VBM115MR03 可用於高電壓開關和控制應用。它的高耐壓能力可以在高電壓環境下提供可靠的開關性能,適用於電力控制和保護系統。

**模組舉例**:

1. **高電壓保護模組**:VBM115MR03 可以集成在高電壓保護模組中,用於保護高電壓電源系統免受過電壓衝擊。適用於高壓電源、變電站設備和工業電源保護。

2. **高電壓開關模組**:在一些特定的開關電源模組中,該MOSFET 可以作為開關元件使用,適用於需要處理高電壓但對電流要求較低的應用場合。

3. **高電壓工業控制模組**:該MOSFET 也適用於高電壓工業控制系統中的開關和保護功能,提供穩定的開關性能和可靠的高電壓耐受性。

綜上所述,VBM115MR03 由於其高耐壓和穩健的性能,適用於高電壓保護、特定開關電源和工業設備等領域,為這些應用提供了可靠的解決方案。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

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