MOSFET

VBGPB1252N Product details

Product introduction:

VBGPB1252N 產品簡介

**VBGPB1252N** 是一款高性能單N溝道功率MOSFET,封裝形式為 TO3P,採用 SG Technology(SGT)製造。該 MOSFET 設計用於高電壓和高電流應用,具有出色的導通電阻和高電流承載能力,適合用於要求高效能和高可靠性的電源管理和開關應用。
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Product parameter:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO3P Single-N 250V 20V(±V) 3.5V 100A 16(mΩ) SGT
詳細參數說明

- **封裝(Package):** TO3P
- **配置(Configuration):** 單N溝道
- **最大漏源電壓(VDS):** 250V
- **最大柵源電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** 3.5V
- **導通電阻(RDS(on)):** 16mΩ @ VGS = 10V
- **最大連續漏極電流(ID):** 100A
- **技術(Technology):** SG Technology (SGT)
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Domain and module applications:

適用領域與模組舉例

**VBGPB1252N** 的特性使其適用於以下領域和模組:

1. **高電壓電源管理:**
由於其高耐壓能力(250V)和低導通電阻,該 MOSFET 非常適合用於高電壓電源管理模組,如高壓 DC-DC 轉換器和電源供應器。在這些應用中,VBGPB1252N 能夠高效處理高電壓輸入並提供穩定的輸出電壓,從而提高系統的整體效率和穩定性。

2. **工業電源系統:**
在工業電源系統中,例如電機驅動、負載控制和高功率電源供應,VBGPB1252N 能夠處理高電流負載。其高電流能力(100A)和低功耗特性確保了電源系統的高效能和可靠性,適合各種工業應用。

3. **高功率開關電源:**
在高功率開關電源應用中,如逆變器和高功率開關裝置,VBGPB1252N 提供了穩定的開關性能。其高耐壓能力和低導通電阻使其在高功率和高頻率的開關應用中表現出色,能夠有效處理高負載條件。

4. **電動汽車:**
在電動汽車的電源系統中,例如電池管理系統(BMS)和高電流電源轉換模組,VBGPB1252N 可用於控制電池的充電和放電過程。其高電流承載能力和高耐壓特性確保了電池管理的高效和安全,提升電池的性能和使用壽命。

5. **能源系統:**
在能源系統,如太陽能逆變器和風力發電系統中,VBGPB1252N 的高耐壓和高電流能力使其適合用於高效的能量轉換和管理。其高效能和可靠性對於優化能源系統的性能和穩定性至關重要。

綜上所述,VBGPB1252N 是一款高耐壓、高電流、高效率的 MOSFET,適用於各種高功率電源管理和開關應用,廣泛應用於高電壓電源管理、工業電源系統、高功率開關電源、電動汽車及能源系統等領域。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

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