VBGM1252N Product details
Product introduction:
VBGM1252N 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,封裝形式為 TO-220。該 MOSFET 具備 250V 的漏源電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵源電壓 (VGS) 規格,採用先進的技術和設計,旨在提供出色的高電壓和高電流處理能力。在 10V 柵源電壓下,其導通電阻為 16mΩ。VBGM1252N 支持高達 80A 的連續漏極電流 (ID),其設計特別適合於高電壓和高電流應用場景,提供高效的開關性能和可靠的工作特性。
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Product parameter:
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp(V) | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO220 | Single-N | 250V | 20V(±V) | 3.5V | 80A | 16(mΩ) | SGT |
| 參數 | 值 | 單位 |
|------------------------|--------------------------|--------|
| 產品型號 | VBGM1252N | |
| 封裝 | TO-220 | |
| 配置 | 單 N 溝道 | |
| 漏源電壓 (VDS) | 250 | V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±20 | V |
| 閾值電壓 (Vth) | 3.5 | V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 16 (VGS = 10V) | mΩ |
| 連續漏極電流 (ID) | 80 | A |
| 暫態脈衝漏極電流 (ID(pulse)) | 320 | A |
| 最大功耗 (Ptot) | 150 | W |
| 工作溫度範圍 | -55 至 +175 | °C |
| 存儲溫度範圍 | -55 至 +175 | °C |
| 技術 | SGT | |
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Domain and module applications:
VBGM1252N 的高電壓和高電流處理能力使其在多個領域和應用中表現出色,以下是幾個具體的應用示例:
1. **電源管理**:在高電壓開關電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉換器中,VBGM1252N 可以作為高效的開關元件。它能夠處理高電壓和高電流,減少能量損耗並提高電源轉換效率,特別適用於高性能電源供應和高電壓應用場景。
2. **功率轉換系統**:該 MOSFET 適用於高電壓功率轉換器和逆變器,包括太陽能逆變器和不間斷電源 (UPS)。其高電壓承受能力和低導通電阻確保了系統的穩定性和高效能。
3. **電動機驅動**:在高電壓和高電流電動機驅動系統中,VBGM1252N 能夠處理電動機啟動和運行時的電流需求。它適用於高功率電動工具、電動汽車及工業電動機,提供高效的電機控制和可靠的性能。
4. **高壓開關應用**:在需要高電壓開關的應用中,如高壓電源的切換和保護,VBGM1252N 可以作為開關元件進行有效的電壓和電流管理。它能夠提供可靠的高電壓開關性能,保證系統的安全性和穩定性。
這些應用示例展示了 VBGM1252N 在高電壓和高電流應用中的關鍵作用,特別是在需要高效開關性能和高電壓處理能力的場景中。
Technical support:
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