MOSFET

VBGP1201N Product details

Product introduction:

VBGP1201N 產品簡介

VBGP1201N是一款高性能單N溝道MOSFET,採用TO247封裝,設計用於高電壓和高電流應用。該MOSFET具有200V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),閾值電壓為4V。它採用先進的SGT(Super Gate Trench)技術,提供低導通電阻,在VGS為10V時的導通電阻為8.5mΩ,最大漏極電流(ID)為120A。VBGP1201N特別適合用於高功率和高效電源管理應用,在高負載條件下能夠保持卓越的性能和穩定性。
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Product parameter:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO247 Single-N 200V 20V(±V) 4V 120A 8.5(mΩ) SGT
VBGP1201N 詳細參數說明

| 參數 | 值 | 單位 |
|------------------|-------------------|------|
| 封裝類型 | TO247 | |
| 配置 | 單N溝道 | |
| 漏源電壓 (VDS) | 200 | V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±20 | V |
| 閾值電壓 (Vth) | 4 | V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 8.5 (VGS=10V) | mΩ |
| 最大漏極電流 (ID) | 120 | A |
| 技術 | SGT(Super Gate Trench)| |
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Domain and module applications:

VBGP1201N 適用領域和模組

1. **高電壓電源開關(High-Voltage Power Switching)**:
VBGP1201N在高電壓電源開關應用中表現優異,特別適合處理高電壓環境下的開關任務。其200V的漏源電壓和低導通電阻(8.5mΩ)確保了電源系統的高效性能,減少了功率損耗,並提高了系統的穩定性。

2. **工業電源(Industrial Power Supplies)**:
該MOSFET適用於各種工業電源應用,特別是在需要處理高電壓和高電流的場合。其高電壓和高電流處理能力使其能夠滿足高功率需求,確保系統的高效和穩定運行。

3. **電機驅動(Motor Drives)**:
在電機驅動應用中,VBGP1201N能夠處理高電流負載,適用於直流電機和無刷電機(BLDC)的驅動。其高電流處理能力和低導通電阻確保了電機的高效控制和穩定運行,適合用於要求較高的電機驅動系統。

4. **DC-DC轉換器(DC-DC Converters)**:
VBGP1201N在DC-DC轉換器中表現優異,適合用於高電壓和高效轉換的應用。其低導通電阻有助於提高轉換器的效率,減少功率損耗,增強系統的整體性能和穩定性。

5. **電池管理系統(Battery Management Systems)**:
在電池管理系統中,該MOSFET能夠有效控制高電壓負載,適用於電池保護和負載開關應用。其高電壓和高電流處理能力有助於提高電池系統的可靠性和穩定性。

VBGP1201N憑藉其高電壓和高電流處理能力以及低導通電阻,適用於各種需要高效和穩定性能的高功率應用,為電源管理、電機驅動和高效開關應用提供了可靠的解決方案。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

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