中文
English
VBM2157N Product details
Back to previous pageProduct introduction：
VBM2157N 產品簡介
**VBM2157N** 是一款單P溝道功率MOSFET，封裝形式為 TO220，採用 Trench 技術製造。該 MOSFET 具有高耐壓能力和低導通電阻，設計用於高效能電源管理和高電流開關應用。其特性使其在高負載條件下能夠提供穩定、可靠的性能，適用於多種需要高效率和高可靠性的應用場景。
∷
**VBM2157N** 是一款單P溝道功率MOSFET，封裝形式為 TO220，採用 Trench 技術製造。該 MOSFET 具有高耐壓能力和低導通電阻，設計用於高效能電源管理和高電流開關應用。其特性使其在高負載條件下能夠提供穩定、可靠的性能，適用於多種需要高效率和高可靠性的應用場景。
∷
File download
Download PDF document
Download now
Product parameter：
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO220 | Single-P | -150V | 20V（±V） | -2V | -40A | 80(mΩ) | 65(mΩ) | Trench |
詳細參數說明
- **封裝（Package）：** TO220
- **配置（Configuration）：** 單P溝道
- **最大漏源電壓（VDS）：** -150V
- **最大柵源電壓（VGS）：** ±20V
- **閾值電壓（Vth）：** -2V
- **導通電阻（RDS(on)）：**
- 80mΩ @ VGS = 4.5V
- 65mΩ @ VGS = 10V
- **最大連續漏極電流（ID）：** -40A
- **技術（Technology）：** Trench
∷
- **封裝（Package）：** TO220
- **配置（Configuration）：** 單P溝道
- **最大漏源電壓（VDS）：** -150V
- **最大柵源電壓（VGS）：** ±20V
- **閾值電壓（Vth）：** -2V
- **導通電阻（RDS(on)）：**
- 80mΩ @ VGS = 4.5V
- 65mΩ @ VGS = 10V
- **最大連續漏極電流（ID）：** -40A
- **技術（Technology）：** Trench
∷
Domain and module applications：
適用領域與模組舉例
**VBM2157N** 的特性使其適用於以下領域和模組：
1. **電源管理：**
該 MOSFET 由於其高耐壓能力和低導通電阻，非常適合用於高效電源轉換模組，如 DC-DC 轉換器和電源供應器。在這些應用中，VBM2157N 能夠高效地處理高電壓輸入並提供穩定的輸出電壓，從而提高系統的整體效率。
2. **電動汽車：**
在電動汽車的電源系統中，例如電池管理系統（BMS），該 MOSFET 可用於控制電池的充電和放電過程。其高電流處理能力和低功耗特性保證了電池管理的高效和安全，提升電池的性能和使用壽命。
3. **高功率開關電源：**
VBM2157N 在高功率開關電源應用中，如逆變器和功率放大器中表現出色。其高電流能力和低導通電阻確保了高效的開關性能，適合高負載和高頻率的開關應用。
4. **工業自動化：**
在工業自動化系統中，如電機驅動和負載控制，該 MOSFET 提供了穩定的電流開關能力。其低導通電阻和高電流承載能力使其適用於高負載和高效能的工業應用。
5. **消費電子：**
在消費電子產品如筆記本電腦、電視機等電源管理模組中，VBM2157N 能夠優化電源供應，提高產品的穩定性和能效。其優秀的開關性能和低能耗特性對提升整體設備的性能和使用壽命至關重要。
綜上所述，VBM2157N 是一款高耐壓、高電流、高效率的 MOSFET，適用於各種高功率電源管理和開關應用，廣泛應用於電源管理、電動汽車、高功率開關電源、工業自動化及消費電子等領域。
**VBM2157N** 的特性使其適用於以下領域和模組：
1. **電源管理：**
該 MOSFET 由於其高耐壓能力和低導通電阻，非常適合用於高效電源轉換模組，如 DC-DC 轉換器和電源供應器。在這些應用中，VBM2157N 能夠高效地處理高電壓輸入並提供穩定的輸出電壓，從而提高系統的整體效率。
2. **電動汽車：**
在電動汽車的電源系統中，例如電池管理系統（BMS），該 MOSFET 可用於控制電池的充電和放電過程。其高電流處理能力和低功耗特性保證了電池管理的高效和安全，提升電池的性能和使用壽命。
3. **高功率開關電源：**
VBM2157N 在高功率開關電源應用中，如逆變器和功率放大器中表現出色。其高電流能力和低導通電阻確保了高效的開關性能，適合高負載和高頻率的開關應用。
4. **工業自動化：**
在工業自動化系統中，如電機驅動和負載控制，該 MOSFET 提供了穩定的電流開關能力。其低導通電阻和高電流承載能力使其適用於高負載和高效能的工業應用。
5. **消費電子：**
在消費電子產品如筆記本電腦、電視機等電源管理模組中，VBM2157N 能夠優化電源供應，提高產品的穩定性和能效。其優秀的開關性能和低能耗特性對提升整體設備的性能和使用壽命至關重要。
綜上所述，VBM2157N 是一款高耐壓、高電流、高效率的 MOSFET，適用於各種高功率電源管理和開關應用，廣泛應用於電源管理、電動汽車、高功率開關電源、工業自動化及消費電子等領域。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features
Technical support：
* If you have any questions about the product, please fill out the form to submit, we will reply you within 24 hours
