中文
English
VBBD8338 Product details
Back to previous pageProduct introduction：
VBBD8338 MOSFET 产品简介
**VBBD8338** 是一款高性能单极 P 通道 MOSFET，采用 Trench 技术，封装形式为 DFN8 (3x2)-B。该 MOSFET 设计用于低电压应用，提供低导通电阻和较高的电流处理能力，适用于需要高效能和高可靠性的电子系统。其高开关速度和低功耗特性使其在多种应用中表现优异。
**VBBD8338** 是一款高性能单极 P 通道 MOSFET，采用 Trench 技术，封装形式为 DFN8 (3x2)-B。该 MOSFET 设计用于低电压应用，提供低导通电阻和较高的电流处理能力，适用于需要高效能和高可靠性的电子系统。其高开关速度和低功耗特性使其在多种应用中表现优异。
File download
Download PDF document
Download now
-B.png)
Product parameter：
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DFN8(3X2)-B | Single-P | -30V | 20V（±V） | -1.5V | -5.1A | 42(mΩ) | 30(mΩ) | Trench |
详细参数说明
- **封装**: DFN8 (3x2)-B
- **配置**: 单极 P 通道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**: -30V
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: -1.5V
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- 42mΩ @ VGS = 4.5V
- 30mΩ @ VGS = 10V
- **最大连续漏极电流 (ID)**: -5.1A
- **技术**: Trench 技术
- **封装**: DFN8 (3x2)-B
- **配置**: 单极 P 通道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**: -30V
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: -1.5V
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- 42mΩ @ VGS = 4.5V
- 30mΩ @ VGS = 10V
- **最大连续漏极电流 (ID)**: -5.1A
- **技术**: Trench 技术
Domain and module applications：
适用领域与模块举例
**VBBD8338** 主要适用于以下领域和模块：
1. **电源管理**：由于其低导通电阻（30mΩ @ VGS = 10V）和较高电流能力（-5.1A），VBBD8338 适合用于电源管理系统，如 DC-DC 转换器和电源供应模块。其高效的开关特性能够降低功耗并提高系统效率。
2. **负载开关**：在负载开关应用中，该 MOSFET 的低导通电阻和较高电流能力使其成为控制低电压负载的理想选择。它可以用于各种开关应用，如电池开关和负载保护开关，确保系统的可靠性和稳定性。
3. **汽车电子**：在汽车电子系统中，例如电源分配和负载控制，该 MOSFET 可以用于开关电路和负载管理。其高开关速度和低功耗特性使其适合用于汽车电子产品中的电源管理和开关控制应用。
4. **消费电子**：在消费电子产品如智能手机和笔记本电脑中，VBBD8338 可以用于电源管理模块和开关电路。其高效的开关性能能够提升产品的能效和稳定性，特别是在需要低电压和高性能开关的应用中表现出色。
总结来说，VBBD8338 MOSFET 的 DFN8 (3x2)-B 封装、低导通电阻和较高电流承载能力使其在电源管理、负载开关、汽车电子和消费电子应用中表现优异。其 Trench 技术确保在各种低电压和高效能应用中提供可靠的性能。
**VBBD8338** 主要适用于以下领域和模块：
1. **电源管理**：由于其低导通电阻（30mΩ @ VGS = 10V）和较高电流能力（-5.1A），VBBD8338 适合用于电源管理系统，如 DC-DC 转换器和电源供应模块。其高效的开关特性能够降低功耗并提高系统效率。
2. **负载开关**：在负载开关应用中，该 MOSFET 的低导通电阻和较高电流能力使其成为控制低电压负载的理想选择。它可以用于各种开关应用，如电池开关和负载保护开关，确保系统的可靠性和稳定性。
3. **汽车电子**：在汽车电子系统中，例如电源分配和负载控制，该 MOSFET 可以用于开关电路和负载管理。其高开关速度和低功耗特性使其适合用于汽车电子产品中的电源管理和开关控制应用。
4. **消费电子**：在消费电子产品如智能手机和笔记本电脑中，VBBD8338 可以用于电源管理模块和开关电路。其高效的开关性能能够提升产品的能效和稳定性，特别是在需要低电压和高性能开关的应用中表现出色。
总结来说，VBBD8338 MOSFET 的 DFN8 (3x2)-B 封装、低导通电阻和较高电流承载能力使其在电源管理、负载开关、汽车电子和消费电子应用中表现优异。其 Trench 技术确保在各种低电压和高效能应用中提供可靠的性能。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features
Technical support：
* If you have any questions about the product, please fill out the form to submit, we will reply you within 24 hours
