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VBP15R50S Product details
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VBP15R50S 产品简介
VBP15R50S是一款高性能单N沟道MOSFET，采用TO247封装，专为高电压和高电流应用设计。这款MOSFET具有500V的漏源电压（VDS）和±30V的栅源电压（VGS），阈值电压为3.8V。它采用SJ_Multi-EPI技术，提供较低的导通电阻，在VGS为10V时的导通电阻为80mΩ，最大漏极电流（ID）为50A。VBP15R50S特别适合用于高电压电源管理和开关应用，能够在高负载和高电压条件下提供高效和稳定的性能。
VBP15R50S是一款高性能单N沟道MOSFET，采用TO247封装，专为高电压和高电流应用设计。这款MOSFET具有500V的漏源电压（VDS）和±30V的栅源电压（VGS），阈值电压为3.8V。它采用SJ_Multi-EPI技术，提供较低的导通电阻，在VGS为10V时的导通电阻为80mΩ，最大漏极电流（ID）为50A。VBP15R50S特别适合用于高电压电源管理和开关应用，能够在高负载和高电压条件下提供高效和稳定的性能。
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Product parameter：
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO247 | Single-N | 500V | 30V（±V） | 3.8V | 50A | 80(mΩ) | SJ_Multi-EPI |
VBP15R50S 详细参数说明
| 参数 | 值 | 单位 |
|------------------|-------------------|------|
| 封装类型 | TO247 | |
| 配置 | 单N沟道 | |
| 漏源电压 (VDS) | 500 | V |
| 栅源电压 (VGS) | ±30 | V |
| 阈值电压 (Vth) | 3.8 | V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 80 (VGS=10V) | mΩ |
| 最大漏极电流 (ID) | 50 | A |
| 技术 | SJ_Multi-EPI | |
| 参数 | 值 | 单位 |
|------------------|-------------------|------|
| 封装类型 | TO247 | |
| 配置 | 单N沟道 | |
| 漏源电压 (VDS) | 500 | V |
| 栅源电压 (VGS) | ±30 | V |
| 阈值电压 (Vth) | 3.8 | V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 80 (VGS=10V) | mΩ |
| 最大漏极电流 (ID) | 50 | A |
| 技术 | SJ_Multi-EPI | |
Domain and module applications：
VBP15R50S 适用领域和模块
1. **高电压电源开关（High-Voltage Power Switching）**：
VBP15R50S在高电压电源开关应用中表现出色，特别适合处理500V的高电压负载。其低导通电阻（80mΩ）和高电压能力确保了电源系统的高效性能，能够减少功率损耗，并在高电压条件下保持系统的稳定性。
2. **工业电源（Industrial Power Supplies）**：
该MOSFET适用于各种工业电源应用，特别是在需要处理高电压和高电流的场合。其高电压和高电流处理能力使其能够满足高功率需求，保证系统在极端条件下的高效和稳定运行。
3. **电机驱动（Motor Drives）**：
在电机驱动应用中，VBP15R50S能够处理高电流和高电压负载，适用于直流电机和无刷电机（BLDC）的驱动。其高电压能力和低导通电阻确保了电机驱动系统的高效控制和稳定运行。
4. **电池管理系统（Battery Management Systems）**：
在电池管理系统中，该MOSFET能够有效控制高电压负载，适用于电池保护和负载开关。其高电压和高电流处理能力有助于提高电池系统的可靠性和稳定性，适合用于高电压电池系统的管理。
5. **高功率逆变器（High-Power Inverters）**：
VBP15R50S适合用于高功率逆变器应用，尤其是在需要处理500V电压和高电流的场合。其高电压能力和低导通电阻确保逆变器的高效性能和稳定性，适合用于光伏逆变器和其他高功率逆变器系统。
VBP15R50S凭借其高电压和高电流处理能力以及较低的导通电阻，适用于各种需要高效、高电压和高功率的应用，为电源管理、电机驱动和开关应用提供了可靠的解决方案。
1. **高电压电源开关（High-Voltage Power Switching）**：
VBP15R50S在高电压电源开关应用中表现出色，特别适合处理500V的高电压负载。其低导通电阻（80mΩ）和高电压能力确保了电源系统的高效性能，能够减少功率损耗，并在高电压条件下保持系统的稳定性。
2. **工业电源（Industrial Power Supplies）**：
该MOSFET适用于各种工业电源应用，特别是在需要处理高电压和高电流的场合。其高电压和高电流处理能力使其能够满足高功率需求，保证系统在极端条件下的高效和稳定运行。
3. **电机驱动（Motor Drives）**：
在电机驱动应用中，VBP15R50S能够处理高电流和高电压负载，适用于直流电机和无刷电机（BLDC）的驱动。其高电压能力和低导通电阻确保了电机驱动系统的高效控制和稳定运行。
4. **电池管理系统（Battery Management Systems）**：
在电池管理系统中，该MOSFET能够有效控制高电压负载，适用于电池保护和负载开关。其高电压和高电流处理能力有助于提高电池系统的可靠性和稳定性，适合用于高电压电池系统的管理。
5. **高功率逆变器（High-Power Inverters）**：
VBP15R50S适合用于高功率逆变器应用，尤其是在需要处理500V电压和高电流的场合。其高电压能力和低导通电阻确保逆变器的高效性能和稳定性，适合用于光伏逆变器和其他高功率逆变器系统。
VBP15R50S凭借其高电压和高电流处理能力以及较低的导通电阻，适用于各种需要高效、高电压和高功率的应用，为电源管理、电机驱动和开关应用提供了可靠的解决方案。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features
Technical support：
* If you have any questions about the product, please fill out the form to submit, we will reply you within 24 hours
